[发明专利]用于基板处理腔室部件的热辐射阻挡层有效
申请号: | 201380065251.1 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN104871305B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 戈文达·瑞泽;丹尼尔·马丁;罗伯特·T·海拉哈拉;阿西斯·巴哈特纳瓜;波柏纳·瓦桑特;普拉什安斯·饶;卡泽拉·R·纳伦德瑞纳斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 部件 热辐射 阻挡 | ||
1.一种基板支撑件加热器,包括:
加热器主体,具有被配置成接收基板的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;
加热元件,被设置在所述加热器主体中且介于所述第一表面与所述第二表面之间;以及
热阻挡层,附着至所述加热器主体的所述第二表面,其中所述热阻挡层包括第一层与第二层,所述第二层耦接至所述第二表面,且所述第一层附着至所述第二层,所述第一层及所述第二层由不同的材料形成和/或具有不同的密度,且其中所述热阻挡层包括0.7至0.9的辐射率。
2.如权利要求1所述的基板支撑件加热器,其中所述加热器主体包括侧表面,且所述热阻挡层被设置在所述侧表面的一部分上。
3.如权利要求2所述的基板支撑件加热器,其中在所述侧表面上的所述热阻挡层包括终结端部,所述终结端部渐缩至0的厚度。
4.如权利要求1所述的基板支撑件加热器,进一步包括:
心柱,耦接至所述加热器主体的所述第二表面,其中所述热阻挡层被设置在所述心柱与所述加热器主体之间。
5.如权利要求1所述的基板支撑件加热器,其中所述第一层的孔隙度与所述第二层的孔隙度不同。
6.如权利要求1所述的基板支撑件加热器,其中所述第一层的辐射率与所述第二层的辐射率不同。
7.如权利要求1所述的基板支撑件加热器,其中所述第一层包括比所述第二层的厚度小的厚度。
8.如权利要求1所述的基板支撑件加热器,其中所述第一层所包括的厚度是所述第二层的厚度的三分之二。
9.一种沉积腔室,包括:
内部空间;以及
基板支撑件加热器,被设置在所述内部空间中,所述基板支撑件加热器包括:
加热器主体,具有接收基板的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;
加热元件,被设置在所述加热器主体中且介于所述第一表面与所述第二表面之间;
心柱,耦接至所述加热器主体的所述第二表面;以及
第一热阻挡层,附着至所述加热器主体的所述第二表面,其中所述第一热阻挡层包括涂层,所述涂层具有至少第一层与第二层,所述第二层附着至所述第一层,且其中所述第一层的性质与所述第二层的性质不同,所述第一层及所述第二层具有不同的密度,且其中所述第一层的辐射率与所述第二层的辐射率不同。
10.如权利要求9所述的腔室,进一步包括第二热阻挡层,所述第二热阻挡层被设置在所述心柱与所述加热器主体之间。
11.如权利要求9所述的腔室,进一步包括第二热阻挡层,所述第二热阻挡层围绕所述加热元件的一部分。
12.如权利要求9所述的腔室,其中所述第一热阻挡层被设置在所述腔室的侧壁上。
13.如权利要求9所述的腔室,其中所述加热器主体包括侧表面,且所述第一热阻挡层被设置在所述侧表面的一部分上。
14.一种基板支撑件加热器,包括:
加热器主体,具有被配置成接收基板的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;
加热元件,被设置在所述加热器主体中且介于所述第一表面与所述第二表面之间;
心柱,耦接至所述加热器主体的所述第二表面;以及
热阻挡层,附着至所述加热器主体的所述第二表面,其中所述热阻挡层包括第一层与第二层,所述第一层及所述第二层由不同的材料形成和/或具有不同的密度,其中所述第一层的辐射率与所述第二层的辐射率不同,且其中所述热阻挡层包括0.7至0.9的辐射率。
15.如权利要求14所述的基板支撑件加热器,其中所述第一层的孔隙度与所述第二层的孔隙度不同。
16.如权利要求14所述的基板支撑件加热器,其中所述第一层包括比所述第二层的厚度小的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380065251.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光元件和显示装置
- 下一篇:硅基板的再结合寿命测定方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造