[发明专利]气体净化过滤器单元

说明书

本发明的气体净化过滤器单元(10)包含：去除由臭氧产生装置产生的臭氧所含的杂质中的气体成分的杂质的第一去除部(11)、及配置在该第一去除部的后段且自去除了气体成分的杂质中进而去除固体微粒子的杂质的第二去除部(12)。通过自所述气体净化过滤器单元(10)的流入端(10a)流入包含杂质的臭氧，并使其透过第一去除部(11)及第二去除部(12)，而自流出端(10b)排出去除了杂质的臭氧。

技术领域

本发明涉及一种气体净化过滤器单元，详细而言，本发明涉及一种去除臭氧气体中所含的气体成分或固体微粒子等杂质的技术。

背景技术

在半导体装置的制造中，着眼于较高的氧化能力而使用臭氧(O₃)。臭氧有在气体状态下使用的情形，也有溶于水中而作为臭氧水使用的情形。作为使用气体状态的臭氧的情形，例如在一系列的光微影步骤中，用于蚀刻处理后的抗蚀剂去除。对于抗蚀剂去除，迄今为止一直采用使用氧电浆的处理方法，但在使用氧电浆的情形时，已知产生例如使半导体晶圆的闸极氧化膜的耐性劣化等各种损害的情况。

因此，作为不会产生所述损害的无损害的抗蚀剂去除方法，提出对抗蚀剂表面吹送臭氧而使抗蚀剂氧化分解的方法。进而，为了提高分解效率，也提出在水分的存在下吹送臭氧的方法。例如在专利文献1中提出如下技术：在利用单一装置进行光微影步骤中的自抗蚀剂去除处理至清洗、干燥的一系列处理时，通过由水蒸气供给机构供给的水蒸气而在抗蚀剂表面形成较薄的纯水的液膜，使由臭氧供给机构供给的臭氧溶解于所述液膜中，借此将抗蚀剂分解成羧酸、二氧化碳、水等。

另外，在专利文献2中揭示有使用臭氧水清洗基盘的构成。关于该构成，提出利用仅使气体通过且阻止液体透过的非多孔性臭氧气体透过高分子膜，使由臭氧产生器产生的臭氧与使臭氧溶解的水隔开地邻接，借此不同于使臭氧直接与水接触的情形，使臭氧在加压状态下透过非多孔性臭氧气体透过高分子膜，而生成源自臭氧产生的金属粉等不会溶解于水中的洁净且高浓度的臭氧水。

然而，作为将臭氧应用在半导体装置的制造步骤时的课题，有由臭氧中所含的杂质引起污染、尤其是金属污染的担忧。成为污染源的金属可列举：通过在电极间进行无声放电而生成臭氧时所产生的源自电极的金属、或用作臭氧的供给路径的金属配管与臭氧的反应产物、及与臭氧生成时附带生成的氮氧化物的反应产物等。

所述金属杂质对电性质、例如导电率、电阻、介电常数等器件(device)性能造成较大的影响。一般而言，金属杂质的导电性大于器件材料，因此即便为由低浓度的金属杂质引起的污染，也在费米能阶中或作为各个电荷载子，对这些性质造成较深的影响。金属浓度对大多数半导体材料的电性质造成的影响已在大量文献中被知晓。

作为自半导体装置的制造步骤等中所使用的臭氧中去除杂质的方法，已知自臭氧产生源介置过滤器单元而对半导体的制造步骤供给臭氧的方法。作为现有的过滤器单元，已知例如使用吸附杂质的气体融合材而去除气体状杂质的过滤器单元。另外，也已知使用片状滤材等滤除固体微粒子状杂质的过滤器单元。另一方面，也对臭氧产生器的用以进行无声放电的电极构造或电极材料进行改善而产生金属杂质较少的臭氧。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本专利特开2001-176833号公报

专利文献1：日本专利特开2002-057136号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

然而，作为现有已知的自臭氧中去除杂质的过滤器单元，仅已知目的在于主要去除气体状杂质的过滤器单元、或目的在于去除固体微粒子状杂质的过滤器单元，因此期望获得高效率地去除臭氧中所含的气体状杂质与固体微粒子状杂质两者的过滤器单元。

另外，如果仅改善臭氧产生器的电极构造或电极材料，那么难以将所产生的臭氧中所含的金属杂质的量降低至不会污染半导体装置的制造步骤的程度。