[发明专利]SiC基板的制造方法在审
| 申请号： | 201380064310.3 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104838478A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木有三;铃木贤二 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
1.一种SiC基板的制造方法，是具有通过研磨SiC基板的表面来将其平坦化的工序的SiC基板的制造方法，其特征在于，至少具备：
氧化膜形成工序，该工序以覆盖所述SiC基板的表面的方式形成氧化膜；和
平坦化工序，该工序通过采用CMP(Chemical Mechanical Polishing)法从所述氧化膜侧对所述SiC基板实施研磨来除去该氧化膜，并且通过研磨所述SiC基板的表面来将该表面平坦化。
2.根据权利要求1所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述氧化膜形成工序中，以0.5μm以上的膜厚形成所述氧化膜。
3.根据权利要求1所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述氧化膜形成工序中，在所述SiC基板的表面形成所述氧化膜时的成膜速率为0.15μm/小时以上。
4.根据权利要求1所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述平坦化工序中，采用CMP法研磨所述氧化膜和所述SiC基板时，所述氧化膜的加工速率大于所述SiC基板的加工速率。
5.根据权利要求4所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述平坦化工序中，采用CMP法研磨所述氧化膜和所述SiC基板时，所述氧化膜相对于所述SiC基板的加工速率比为10以上，并且，所述SiC基板的加工速率为0.1μm/小时以上。
6.根据权利要求1所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，所述SiC基板是进而在至少一个面上层叠有外延层的SiC基板。
7.根据权利要求1所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述氧化膜形成工序之前，还包括粗研磨工序，所述粗研磨工序采用机械式研磨法研磨SiC基板的表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
