[发明专利]片状电容器、电路组件以及电子设备

权利要求书

1.一种片状电容器，包含：

基板；

一对外部电极，其形成在所述基板上；

电容器元件，其连接在所述一对外部电极之间；和

双向二极管，其与所述电容器元件并联连接在所述一对外部电极之间。

2.根据权利要求1所述的片状电容器，其中，

所述基板是半导体基板，

所述双向二极管包含形成在所述半导体基板内的杂质扩散层。

3.根据权利要求2所述的片状电容器，其中，

所述电容器元件包含由形成在所述半导体基板内的杂质扩散层构成的下部电极。

4.根据权利要求1所述的片状电容器，其中，

所述基板是半导体基板，

所述电容器元件包含由形成在所述半导体基板内的杂质扩散层构成的下部电极，

所述双向二极管包含与构成所述下部电极的杂质扩散层连续的杂质扩散层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的片状电容器，其中，

所述双向二极管包含形成在所述外部电极的正下方的区域的部分。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的片状电容器，其中，

所述双向二极管的全部形成在所述外部电极的正下方的区域。

7.根据权利要求1所述的片状电容器，其中，

所述双向二极管包含形成在所述基板上的多晶硅膜。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的片状电容器，其中，

所述片状电容器还包含与所述电容器元件连接的第1焊垫部、和与所述双向二极管连接的第2焊垫部，

所述一对外部电极的一个外部电极跨所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部地形成，并将该第1焊垫部以及该第2焊垫部电连接。

9.根据权利要求8所述的片状电容器，其中，

所述片状电容器还包含：

绝缘层，其配置于所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部之间，将所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部分离，

所述外部电极跨越所述绝缘层来与所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部双方相接合。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的片状电容器，其中，

各外部电极跨所述基板的表面以及侧面地形成，并一体地具有覆盖所述表面的表面部分以及覆盖所述侧面的侧面部分。

11.一种片状电容器，包含：

基板；

一对外部电极，其形成在所述基板上；和

电容器元件，其连接在所述一对外部电极之间，

各外部电极跨所述基板的表面以及侧面地形成，并一体地具有覆盖所述表面的表面部分以及覆盖所述侧面的侧面部分。

12.根据权利要求10或11所述的片状电容器，其中，

所述基板在俯视下是矩形形状，

所述外部电极形成为覆盖所述基板的三个侧面的所述表面侧的边缘部。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的片状电容器，其中，

所述电容器元件包含：

下部电极，其形成在所述基板上或者所述基板内，与所述一对外部电极的一个外部电极连接；

电容膜，其层叠于所述下部电极；和

上部电极，其层叠于所述电容膜，夹着所述电容膜与所述下部电极相对置，并与所述一对外部电极的另一个外部电极连接。

14.根据权利要求13所述的片状电容器，其中，

在所述基板形成具有与该基板的主面相交叉的侧壁面的沟槽，所述电容膜沿着所述沟槽的侧壁面形成。

15.根据权利要求14所述的片状电容器，其中，

所述上部电极包含埋入到所述沟槽中的多晶硅膜。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的片状电容器，其中，

所述电容器元件包含多个电容器要素，

所述片状电容器还包含：

多个熔丝，该多个熔丝设置在所述基板上，以能够分别将所述多个电容器要素断开的方式与所述外部电极连接。