[发明专利]具有酯基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种光刻用途的抗蚀剂下层膜形成用组合物，作为硅烷含有水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷且不含有式(2)所示的水解性硅烷，或者含有由式(1)所示的水解性硅烷与式(2)所示的水解性硅烷构成的水解性硅烷组合，

在水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷且不含有式(2)所示的水解性硅烷的情况下，相对于所述硅烷中的全部水解性硅烷、其水解物和其水解缩合物中所含有的来自全部水解性硅烷的结构单元的总摩尔数，所述硅烷中的式(1)所示的水解性硅烷、其水解物和其水解缩合物中所含有的来自式(1)所示的水解性硅烷的结构单元的总摩尔数为10～20摩尔％，

在水解性硅烷含有由式(1)所示的水解性硅烷与式(2)所示的水解性硅烷构成的水解性硅烷组合的情况下，相对于所述硅烷中的全部水解性硅烷、其水解物和其水解缩合物中所含有的来自全部水解性硅烷的结构单元的总摩尔数，所述硅烷中的式(1)所示的水解性硅烷及式(2)所示的水解性硅烷、它们的水解物以及它们的水解缩合物中所含有的来自式(1)所示的水解性硅烷的结构单元的总摩尔数与来自式(2)所示的水解性硅烷的结构单元的总摩尔数的合计为大于10摩尔％且小于等于20摩尔％，

R¹_aR²_bSi(R³)₄-(a+b) 式(1)

式(1)中，R¹为含有式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-4)或式(1-5)所示的基团的一价有机基团，并且R¹通过Si-C键与硅原子键合，

式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-4)和式(1-5)中，T¹、T⁴和T⁷分别为亚烷基、环状亚烷基、亚烯基、亚芳基、硫原子、氧原子、氧羰基、酰胺基、仲氨基、或它们的组合，T²为烷基，T³和T⁵分别为脂肪族环或芳香族环，T⁶和T⁸分别为内酯环；n表示1或2的整数；

R²为烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，且R²通过Si-C键与硅原子键合；

R³为烷氧基、酰氧基或卤素原子；

a表示整数1，b表示整数0或1，a+b表示整数1或2；

式(2)中，R⁴为含有式(2-1)、式(2-2)或式(2-3)所示的基团的一价有机基团，且R⁴通过Si-C键与硅原子键合；

R⁵为烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，且R⁵通过Si-C键与硅原子键合；

R⁶为烷氧基、酰氧基或卤素原子；

a₁表示整数1，b₁表示整数0或1，a₁+b₁表示整数1或2，

所述硅烷还含有其他水解性硅烷，其它水解性硅烷为选自式(3)所示的化合物和式(4)所示的化合物中的至少1种有机硅化合物，

式(3)中，R⁷为烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基团，且R⁷通过Si-C键与硅原子键合，R⁸表示烷氧基、酰氧基、或卤素原子，a₂表示0～3的整数，

式(4)中，R⁹为烷基，且R⁹通过Si-C键与硅原子键合，R¹⁰表示烷氧基、酰氧基、或卤素原子，Y表示亚烷基或亚芳基，b₂表示整数0或1，c为整数0或1。