[发明专利]用于读取电阻性随机访问存储器(RRAM)单元的系统和方法

权利要求书

1.一种系统，包括：

电阻性随机访问存储器单元，被连接至字线和位线；

预充电电路，被配置为将所述位线预充电至第一电压并且所述字线不被选择；

驱动器电路，被配置为在所述位线被充电至所述第一电压之后的第一时间处选择所述字线；

比较器，被配置为将在所述位线上的第二电压与被供应至所述比较器的第三电压比较并且基于所述比较生成输出；

锁存器，被配置为将所述比较器的所述输出锁存并且生成锁存的输出；以及

脉冲生成器，被配置为在所述第一时间之后的时延之后生成脉冲以对所述锁存器计时，从而将所述比较器的所述输出锁存并且生成锁存的输出，

其中所锁存的输出指示所述电阻性随机访问存储器单元的状态。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述时延是可编程的并且基于以下因素被选择：所述位线的寄生电容、对应于所述电阻性随机访问存储器单元的电阻元件的高阻态和低阻态的电阻值、以及所述电阻性随机访问存储器单元的开关元件的特性。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述时延是可编程的并且基于工艺变化被选择。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述时延是可编程的，并且在包括所述电阻性随机访问存储器单元的存储器阵列的制造期间被选择，或者响应于包括所述电阻性随机访问存储器单元的所述存储器阵列的电源被接通而被选择，或者两者兼具而被选择。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述比较器包括反相器，并且其中所述第一电压和所述第三电压是：

在包括所述电阻性随机访问存储器单元的存储器阵列的电源电压与参考电压之间可调节的；

小于损坏所述电阻性随机访问存储器单元的电压；以及

被选择以允许感应所述电阻性随机访问存储器单元的电阻元件的高阻态和低阻态。

6.根据权利要求1所述的系统，其中：

所述比较器包括反相器，

所述反相器包括具有选择的阈值电压的晶体管，以及

所选择的阈值电压允许将包括所述电阻性随机访问存储器单元的存储器阵列的电源电压减小至小于选择的值以节省功率，以及将所述第三电压降低至小于所述电源电压。

7.根据权利要求1所述的系统，其中：

所述比较器包括反相器，

所述反相器包括具有选择的阈值电压的晶体管，以及

所选择的阈值电压允许将包括所述电阻性随机访问存储器单元的存储器阵列的电源电压减小至小于所选择的阈值电压，同时允许感应所述电阻性随机访问存储器单元的电阻元件的高阻态和低阻态。

8.一种系统，包括：

电阻性随机访问存储器单元，被连接至字线和位线；

电流源，被配置为提供流经所述位线的电流；

驱动器电路，被配置为选择所述字线；

比较器，被配置为将在所述位线上的第一电压与被供应至所述比较器的第二电压比较并且基于所述比较生成输出；

锁存器，被配置为将所述比较器的所述输出锁存并且生成锁存的输出；以及

脉冲生成器，被配置为在时延之后生成脉冲，从而将所述比较器的所述输出锁存并且生成锁存的输出，

其中所述时延大于所述第一电压的稳定时间，并且

其中所锁存的输出指示所述电阻性随机访问存储器单元的状态。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述电流、所述第二电压、或所述两者是可编程的并且被选择以允许所述比较器区分所述电阻性随机访问存储器单元的电阻元件的高阻态与低阻态。

10.根据权利要求8所述的系统，其中所述电流是可编程的并且基于工艺变化被选择。

11.根据权利要求8所述的系统，其中所述电流、所述第二电压、或所述两者是可编程的，并且在包括所述电阻性随机访问存储器单元的存储器阵列的制造期间被选择，或者响应于包括所述电阻性随机访问存储器单元的所述存储器阵列的电源被接通而被选择，或者两者兼具而被选择。