[发明专利]发光半导体器件

权利要求书

1.发光半导体器件，具有

-带有活性区（11）的发光半导体芯片（1），该活性区在运行中辐射具有第一频谱的光（31），

-波长转换元件（2），其远离半导体芯片（1）地放置并且在具有第一频谱的光（31）的光路中布置在该半导体芯片（1）之后，该波长转换元件至少部分地将具有第一频谱的光（31）转换为具有第二频谱的光（32），以及

-滤波层（3），该滤波层将从外部入射到半导体器件上的光（33）的至少一部分（34）进行反射，其中从外部入射到半导体器件上的光（33）的被滤波层（3）反射的部分（34）具有可见波长范围，并且在半导体器件关断的状态下叠加由波长转换元件引起的色觉。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中波长转换元件(2)与滤波层（2）空间上有间隔地布置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，具有构造为壳体的载体（6），其中

-该壳体具有凹穴，

-半导体芯片（1）和波长转换元件（2）布置在该凹穴内，以及

-滤波层（3）作为载体的保护层布置在该凹穴上方。

4.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，其中波长转换元件（2）与半导体芯片（1）之间具有距离，该距离与半导体芯片（1）的横向伸展的数倍相应。

5.根据权利要求1至4之一所述的半导体器件，其中该半导体器件具有载体（6），在该载体上布置半导体芯片（1）并且该载体承载远离半导体芯片（1）布置的波长转换元件（2）。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中波长转换元件（2）或者波长转换元件（2）以及滤波层（3）被构造为半导体芯片（1）上方的保护层、窗或外罩。

7.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中滤波层（3）在具有第一频谱的光（31）的光路中布置在波长转换元件（2）之后。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

-半导体器件具有布置在滤波层（3）之后的光辐射面（4），以及

-从外部入射到半导体器件上的光（33）被入射到光辐射面（4）上。

9.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中第一频谱具有可见波长范围。

10.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中从外部入射到半导体器件上的光（33）的被滤波层（3）反射的部分（34）至少部分地相应于具有第一频谱的光（31）的被波长转换元件（2）转换的子频谱。

11.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中滤波层（3）对于具有第一频谱的光（31）的一部分是透明的。

12.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中

-第一频谱具有蓝色波长范围，而第二频谱具有黄色波长范围，

-半导体器件具有布置在滤波层（3）之后的光辐射面（4），以及

- 该光辐射面（4）在关断状态下在观察者那里激发非黄色的色觉。

13.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中波长转换元件（2）被构造为陶瓷波长转换元件。

14.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中波长转换元件（2）具有在基质材料（21）中的波长转换物质（22），并且基质材料（21）具有透明塑料。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中波长转换元件（2）被构造为自承薄膜。

16.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中波长转换元件（2）具有载体元件（5），在该载体元件上施加波长转换物质，并且该载体元件（5）具有玻璃或塑料。

17.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中

-滤波层（3）被构造为二向反射镜，该二向反射镜具有第一层和第二层的周期性序列，

-第一层具有第一折射率，而第二层具有不同于第一折射率的第二折射率，以及

-滤波层（3）的第一层和第二层分别包括氧化物或氮化物。

18.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中滤波层（3）被施加在波长转换元件（2）上。

19.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中

-滤波层（3）具有至少一个背离波长转换元件（2）的主表面（4），

-从外部入射到半导体器件上的光（33）以角度（9）入射到该主表面（4）上，以及

-从外部入射到半导体器件上的光（33）的所述部分（34）被滤波层（3）取决于所述角度地反射。