[发明专利]HCV抑制剂的晶形在审
申请号: | 201380047492.3 | 申请日: | 2013-07-11 |
公开(公告)号: | CN104603138A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | A.Y.谢赫;M.迪万;A.E.帕尔;龚豫川;P.J.布拉克迈尔;G.G.张;S.瓦高 | 申请(专利权)人: | 艾伯维公司 |
主分类号: | C07D487/04 | 分类号: | C07D487/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘健;梁谋 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | hcv 抑制剂 晶形 | ||
1.化合物I的晶形,其中在43%相对湿度下平衡后,所述晶形在PXRD图谱中具有2θ(°2θ)值为10.7、11.6、12.7、13.0、13.2、13.7、14.5、18.7、19.0和19.9的特征峰。
2.权利要求1的晶形,其中在43%相对湿度下平衡后,所述晶形在PXRD图谱中具有2θ(°2θ)值为10.70、11.57、12.75、13.02、13.18、13.66、14.47、18.66、18.96和19.94的特征峰。
3.权利要求1的晶形,其中在43%相对湿度下平衡后,所述晶形在PXRD图谱中具有2θ(°2θ)值为10.5、10.7、11.6、12.7、13.0、13.2、13.7、14.5、17.3、18.7、19.0、19.9、21.9、23.3、24.3、25.2、25.6、26.6、27.2和30.0的特征峰。
4.权利要求1的晶形,其中在43%相对湿度下平衡后,所述晶形在PXRD图谱中具有2θ(°2θ)值为10.54、10.70、11.57、12.75、13.02、13.18、13.66、14.47、17.35、18.66、18.96、19.94、21.90、23.31、24.34、25.19、25.56、26.64、27.24和29.95的特征峰。
5.权利要求1的晶形,其中在43%相对湿度下平衡后,所述晶形在PXRD图谱中具有2θ(°2θ)值为5.8、10.5、10.7、11.6、12.7、13.0、13.2、13.7、14.5、14.9、17.3、17.9、18.7、19.0、19.7、19.9、20.5、20.9、21.4、21.9、22.4、23.0、23.3、23.8、24.3、25.2、25.6、26.6、27.2和30.0的特征峰。
6.权利要求1的晶形,其中在43%相对湿度下平衡后,所述晶形在PXRD图谱中具有2θ(°2θ)值为5.80、10.54、10.70、11.57、12.75、13.02、13.18、13.66、14.47、14.88、17.35、17.92、18.66、18.96、19.69、19.94、20.45、20.86、21.42、21.90、22.41、22.98、23.31、23.84、24.34、25.19、25.56、26.64、27.24和29.95的特征峰。
7.权利要求1的晶形,其中在43%相对湿度下平衡后,所述晶形具有如图7中所示的特征PXRD峰。
8.包含权利要求1的晶形的组合物。
9.制备包含化合物I的组合物的方法,其包括将权利要求1的晶形溶解在溶剂中。
10.权利要求9的方法,其中所述溶剂是亲水聚合物,并且使用熔体挤出法将权利要求1的晶形溶解在所述聚合物中。
11.制备权利要求1的晶形的方法,其包括将所述晶形的晶种添加到包含化合物I的溶液中。
12.权利要求11的方法,其中使用均化装置和在所述晶形的晶种存在下由化合物I的过饱和溶液制备所述晶种。
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