[发明专利]大面积有机光伏电池在审
| 申请号: | 201380039813.5 | 申请日: | 2013-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN104603967A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
| 发明(设计)人: | 史蒂芬·R·福里斯特;王娜娜;杰拉米·齐默尔曼 | 申请(专利权)人: | 密歇根大学董事会 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01G9/20;H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 刘慧;杨青 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 大面积 有机 电池 | ||
1.多层太阳能器件,其包括:
基板;以及
有源区,所述有源区包括:在所述基板表面上沉积的至少一种供体材料和至少一种受体材料,其中所述供体材料和受体材料包括有机分子,并且其中在所述供体材料和受体材料沉积之前从所述基板表面上除去颗粒。
2.如权利要求1所述的器件,其中通过使所述基板的表面暴露于包括选自超临界相、气相、固相和液相的一个或更多个相的至少一种化合物的流束下来除去所述颗粒。
3.如权利要求2所述的器件,其中所述至少一种化合物的流束至少包括气相和固相。
4.如权利要求2所述的器件,其中所述至少一种化合物的流束包括气相、固相和液相。
5.如权利要求2所述的器件,其中所述至少一种化合物的流束包括超临界流体。
6.如权利要求2所述的器件,其中所述至少一种化合物选择为在室温和大气压力下为气态。
7.如权利要求6所述的器件,其中所述至少一种化合物当冷却低于室温时形成液体或固体。
8.如权利要求2所述的器件,其中所述至少一种化合物选自用于已知污染物的溶剂。
9.如权利要求1所述的器件,其中所述基板的表面包括电极。
10.如权利要求1所述的器件,其还包括在所述基板上沉积的电极,其中在沉积所述电极之前从所述基板的表面上除去颗粒。
11.如权利要求6所述的器件,其中所述至少一种化合物选自氨、二氧化碳、一氧化二氮、烃、氯化烃、氟化烃和它们的混合物。
12.如权利要求11所述的器件,其中所述烃选自乙炔、丙烷和丁烷,所述氯化烃选自氯乙烷,以及所述氟化烃选自氟乙烷。
13.如权利要求2所述的器件,其中所述至少一种化合物是CO2。
14.如权利要求2所述的器件,其中还使用除了使所述基板的表面暴露于所述至少一种化合物的流束下的另外的技术来清洗所述基板的表面。
15.如权利要求14所述的器件,其中另外的技术是溶剂清洗。
16.如权利要求2所述的器件,其中从所述基板的表面上去除颗粒增加了产率。
17.如权利要求2所述的器件,其中被去除的颗粒具有从约5nm到约1000nm的直径。
18.如权利要求17所述的器件,其中被去除的颗粒具有从约15nm到约200nm的直径。
19.如权利要求18所述的器件,其中被去除的颗粒具有从约20nm到约100nm的直径。
20.如权利要求1所述的器件,其中所述有源区从约0.01cm2到约1000cm2。
21.如权利要求1所述的器件,其中所述有源区是至少约0.25cm2的大区域。
22.制备光伏器件的方法,所述方法包括:
提供基板;
通过使所述表面暴露于包括选自超临界相、气相、固相和液相的一个或多个相的至少一种化合物的流束下来清洗所述基板的表面;和
在所述基板的表面上沉积有机有源层。
23.如权利要求22所述的方法,其中所述至少一种化合物的流束至少包括气相和固相。
24.如权利要求22所述的方法,其中所述至少一种化合物的流束包括气相、固相和液相。
25.如权利要求22所述的方法,其中所述至少一种化合物的流束包括超临界流体。
26.如权利要求22所述的方法,其中所述至少一种化合物选择为在室温和大气压力下为气态。
27.如权利要求26所述的方法,其中所述至少一种化合物当冷却低于室温时形成液体或固体。
28.如权利要求22所述的方法,其中所述至少一种化合物选自溶解已知污染物的溶剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于密歇根大学董事会;,未经密歇根大学董事会;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380039813.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





