[发明专利]EUV投射曝光设备的反射镜布置及其操作方法,及EUV投射曝光设备有效
申请号: | 201380039384.1 | 申请日: | 2013-07-16 |
公开(公告)号: | CN104487899B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | B.比特纳;N.韦伯拉;S.施奈德;R.施奈德;H.瓦格纳;R.伊利夫;W.保尔斯 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B7/00;G02B17/06;G21K1/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈金林 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | euv 投射 曝光 设备 反射 布置 及其 操作方法 | ||
1.一种微光刻的EUV投射曝光设备(200)的反射镜布置,包含多个反射镜(30;50;70;110;150;170;210-218、224-234),所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32;52;72;112;152;172)并具有主体(34;54;74;114;154;174),所述层能够被施加EUV辐射,其特征在于:所述多个反射镜的至少一个反射镜(30;70;110;150;170;226)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36;76;118;156;178),并且所述反射镜布置还包含至少一个热源(96;126),从而以有目标的方式局部施加热至所述至少一个反射镜(70;110)的具有负热膨胀系数的至少一个层(76;118)。
2.如权利要求1所述的反射镜布置,其特征在于:所述至少一个反射镜(110;170)具有至少一个另外层(116;176),所述至少一个另外层包含具有正热膨胀系数的材料,所述至少一另外层与具有负热膨胀系数的所述至少一个层(118;178)通过至少一个热绝缘层(120;180)分开。
3.如权利要求1或2所述的反射镜布置,其特征在于:所述多个反射镜(30;50;70;110;150;170;210-218、224-234)的至少一个另外反射镜具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层。
4.如权利要求1或2所述的反射镜布置,其特征在于:所述多个反射镜的至少一个另外反射镜(50;224)具有包含具有正热膨胀系数的材料至少一个层(56)。
5.如权利要求3所述的反射镜布置,其特征在于:所述至少一个反射镜(70;226)和所述至少一个另外反射镜(50;224)布置在所述EUV辐射的光束路径中关于其光学效应为共轭或近似共轭的位置。
6.如权利要求3所述的反射镜布置,其特征在于至少一个另外热源(92;122),从而以有目标的方式局部施加热至所述至少一个另外反射镜(50;224)的具有负或正热膨胀系数的至少一个层(56)。
7.如权利要求2所述的反射镜布置,其特征在于至少一个另外热源(122),从而以有目标的方式局部施加热至所述至少一个反射镜的具有正热膨胀系数的至少一个层(116)。
8.如权利要求1或2所述的反射镜布置,其特征在于:设计所述至少一个热源(96;126)和/或所述至少一个另外热源(92;122)以施加位置可变热分布至具有负热膨胀系数的所述至少一个层(76;118)和/或具有正热膨胀系数的所述至少一个层(56;116)。
9.如权利要求1或2所述的反射镜布置,其特征在于:所述至少一个热源(96;126)和/或所述至少一个另外热源(92;122)为IR辐射源(94、98、124、128)。
10.如权利要求1或2所述的反射镜布置,其特征在于:所述至少一个热源(96;126)和/或所述至少一个另外热源(92;122)通过所述反射层(52;72;112)施加热至具有负热膨胀系数的所述至少一个层(76;118)和/或具有正热膨胀系数的所述至少一个层(56)。
11.如权利要求1或2所述的反射镜布置,其特征在于:所述至少一个热源(96;126)和/或所述至少一个另外热源(92;122)从所述主体(54;74;114)的侧面施加热至具有负热膨胀系数的所述至少一个层(76;118)和/或具有正热膨胀系数的所述至少一个层(56)。
12.如权利要求1或2所述的反射镜布置,其特征在于:至少一个热绝缘层(160;182)存在于具有负热膨胀系数的所述至少一个层(156;178)与所述主体(154;174)之间。
13.如权利要求12所述的反射镜布置,其特征在于:具有高导热性的层存在于所述热绝缘层(160;182)与所述主体(154;174)之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司,未经卡尔蔡司SMT有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380039384.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。