[发明专利]半导体器件、显示单元和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

晶体管，所述晶体管包含位于栅极电极与半导体膜之间的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜至少与所述半导体膜接触；和

存储电容器，所述存储电容器含有位于一对电极之间的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜的介电常数比所述第一绝缘膜的介电常数大。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二绝缘膜被共用地设置于所述存储电容器和所述晶体管中，并且

所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜均被包含在所述栅极电极与所述半导体膜之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘膜的平面形状与所述半导体膜的平面形状相同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括电连接至所述半导体膜的源极-漏极电极。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述晶体管从基板侧开始依次包括所述栅极电极、所述第一绝缘膜和所述半导体膜，且

所述源极-漏极电极在与所述第一绝缘膜相反的一侧与所述半导体膜接触。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述晶体管从基板侧开始依次包括所述半导体膜、所述第一绝缘膜和所述栅极电极，且

所述源极-漏极电极在与所述第一绝缘膜相反的一侧与所述半导体膜接触。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘膜和所述半导体膜是由有机材料制成的，并且被彼此相分离。

8.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，一个所述源极-漏极电极与所述存储电容器的一个电极一体化。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘膜薄于所述第二绝缘膜。

10.一种显示单元，其包括：

多个像素；

晶体管，所述晶体管驱动所述像素并且包含位于栅极电极与半导体膜之间的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜至少与所述半导体膜接触；和

存储电容器，所述存储电容器包含位于一对电极之间的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜的介电常数比所述第一绝缘膜的介电常数大。

11.一种设置有显示单元的电子装置，所述显示单元包括：

多个像素；

晶体管，所述晶体管驱动所述像素并且包含位于栅极电极与半导体膜之间的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜至少与所述半导体膜接触；和

存储电容器，所述存储电容器包含位于一对电极之间的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜的介电常数比所述第一绝缘膜的介电常数大。