[发明专利]在热工艺中玻璃弯曲的避免

权利要求书

1. 一种用于避免玻璃基质弯曲的多层体组件(1)，其包括：

- 多层体(2)，其带有玻璃基质(30)、被施加到所述玻璃基质(30)的一侧上的功能性覆层(10)和平面地与所述玻璃基质(30)的背对所述功能性覆层(10)的侧面相连接的辅助层(20)，

- 两个辐射器场(4)，其带有处于其间的处理平面，在其中布置所述多层体(2)，以在250nm至4000nm的波长范围中射入到所述玻璃基质(30)上的辐射功率P_ges用于所述功能性覆层(10)的热处理，

其中，所述辅助层(20)具有射入的所述辐射功率P_ges的10%至60%的所吸收的辐射功率P₂₀。

2. 根据权利要求1所述的多层体组件(1)，其中，所述辅助层(20)被施加在所述玻璃基质(30)上，优选地通过气相喷镀、阴极溅射或电化学沉积。

3. 根据权利要求1所述的多层体组件(1)，其中，所述辅助层(20)与所述玻璃基质(30)可解地相连接。

4. 根据权利要求3所述的多层体组件(1)，其中，所述辅助层(20)被施加在处理盒(50)的承载板(40)、优选地底板(41)或盖板(42)上。

5. 根据权利要求1至4中任一项所述的多层体组件(1)，其中，所述辅助层(20)具有P_ges的10%至40%且优选地20%至30%的所吸收的辐射功率P₂₀。

6. 根据权利要求1至5中任一项所述的多层体组件(1)，其中，所述辅助层(20)具有在所述功能性覆层(10)中所吸收的辐射功率P₁₀的50%至150%且优选地75%至125%的所吸收的辐射功率P₂₀。

7. 根据权利要求1至6中任一项所述的多层体组件(1)，其中，所述辅助层(20)包含由石墨、碳化硅和/或氮化硼构成的至少一个层，其优选地带有10nm至10μm的层厚。

8. 根据权利要求1至7中任一项所述的多层体组件(1)，其中，所述辅助层(20)包含布置在所述玻璃基质(30)上的吸收层(23)和布置在所述吸收层(23)上的保护层(22)。

9. 根据权利要求1至8中任一项所述的多层体组件(1)，其中，所述吸收层(23)包含金属优选地铝、钼、铜、钴、镍、钛和/或钽或者半金属化合物优选地碳化硅、氧化锌、硫化镉、碲化镉、锑化铟、砷化铟和/或锑化锌，并且/或者所述保护层(22)包含氮化硅、氮化钛、氮化钼、氧化铝和/或氮化铝。

10. 根据权利要求1至9中任一项所述的多层体组件，其中，所述辅助层(20)具有在玻璃基质(30)与吸收层(23)之间的粘附层(21)且所述粘附层(21)优选地包含氮化硅和/或氮氧化硅。

11. 根据权利要求1至10中任一项所述的多层体组件，其中，所述功能性覆层(10)包含用于转化成薄层太阳能电池的半导体层的前体层(13,14)且优选地包含由铜、铟、镓、硫和/或硒构成的前体层(13,14)。

12. 根据权利要求1至11中任一项所述的多层体组件，其中，所述功能性覆层(10)包含至少一个阻挡层(11)、优选地带有50nm至300nm厚度的氮化硅层、电极(12)、优选地带有200nm至700nm厚度的钼层、前体层(13)、优选地带有300nm至1000nm厚度的铜-铟-镓层和另外的前体层(14)、优选地带有700nm至2000nm厚度的硒层。