[发明专利]用于电压瞬变电路保护的撬棒器件

权利要求书

1.一种电路保护组件，包括：

转向二极管桥；以及

电连接到所述转向二极管桥的撬棒器件，所述撬棒器件具有形成在第一层上的基极和发射极，所述第一层限定击穿电压，当所述击穿电压被超过时，允许电流在所述发射极下面穿过，并通过形成在所述发射极中的空穴而穿出器件。

2.根据权利要求1所述的电路保护组件，还包括第一端子和第二端子，所述第一端子和第二端子被配置为将所述电路保护组件连接到待保护的电路。

3.根据权利要求2所述的电路保护组件，其中所述转向二极管桥包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管。

4.根据权利要求3所述的电路保护组件，其中所述第一端子电连接到所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阴极，所述第一二极管的阴极电连接到所述第三二极管的阴极，所述第二二极管的阳极电连接到所述第四二极管的阳极，以及所述第二端子电连接到所述第三二极管的阳极和所述第四二极管的阴极。

5.根据权利要求4所述的电路保护组件，其中撬棒器件的阳极电连接到所述第二二极管和第四二极管的阳极，而撬棒器件的阴极电连接到所述第一二极管和第三二极管的阴极。

6.根据权利要求1所述的电路保护组件，其中所述转向二极管桥包括多个二极管，所述多个二极管由N型衬底上的高电阻率外延层形成，其中所述高电阻率外延层具有大于或等于50Ω·cm的电阻率。

7.根据权利要求6所述的电路保护组件，其中相对于所述高电阻率外延层的掺杂，N型衬底是重掺杂的。

8.根据权利要求7所述的电路保护组件，其中所述外延层的厚度在5至15微米之间。

9.一种用于电路保护组件的撬棒器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底的底部区域中的扩散层；

形成在所述衬底上的基极；以及

形成在所述基极上的具有空穴的发射极，所述撬棒器件具有击穿电压，当所述击穿电压被超过时，允许电流在所述发射极下面穿过，并通过形成在所述发射极中的空穴而穿出器件。

10.根据权利要求9所述的撬棒器件，其中所述衬底具有大约25Ω·cm的电阻率。

11.根据权利要求9所述的撬棒器件，其中所述衬底是N型衬底。

12.根据权利要求9所述的撬棒器件，其中所述扩散层通过对所述衬底的所述底部区域掺杂以形成P+型扩散区域来形成。

13.根据权利要求9所述的撬棒器件，其中所述基极是P型半导体。

14.根据权利要求9所述的撬棒器件，其中所述发射极是N型半导体。

15.根据权利要求9所述的撬棒器件，其中所述击穿电压在8至50伏之间。

16.一种用于电路保护组件的撬棒器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的外延层；

形成在所述外延层上的基极；以及

形成在所述基极上的具有空穴的发射极，所述撬棒器件具有击穿电压，当所述击穿电压被超过时，允许电流在所述发射极下面穿过，并通过形成在所述发射极中的空穴而穿出器件。

17.根据权利要求16所述的撬棒器件，其中所述基极是P型半导体。

18.根据权利要求16所述的撬棒器件，其中所述发射极是N+型半导体。

19.根据权利要求16所述的撬棒器件，其中所述衬底是P型半导体。

20.根据权利要求16所述的撬棒器件，其中所述击穿电压在8至50伏之间。