[发明专利]可编程部件的混合技术组合件有效

专利信息
申请号: 201380034878.0 申请日: 2013-04-30
公开(公告)号: CN104520996B 公开(公告)日: 2018-02-09
发明(设计)人: 阿瑟·S·莫里斯 申请(专利权)人: 维斯普瑞公司
主分类号: H01L29/00 分类号: H01L29/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 余刚,吴孟秋
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 可编程 部件 混合 技术 组合
【权利要求书】:

1.一种调谐部件的可编程组合件,包括:

一个或多个第一可切换部件,被配置为输送第一可变电抗,所述一个或多个第一可切换部件包括耦接至一个或多个固态电容器的一个或多个开关;以及

一个或多个第二可切换部件,被配置为输送第二可变电抗,所述一个或多个第二可切换部件包括一个或多个可变电容器,其中,所述一个或多个第二可切换部件的每一个包括至少第一电容电极,所述第一电容电极相对于第二电容电极是可移动的以改变所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的电容;

其中,所述一个或多个第一可切换部件的所述第一可变电抗与所述一个或多个第二可切换部件的所述第二可变电抗输送组合式可变电抗。

2.根据权利要求1所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个第一可切换部件包括一个或多个固态受控器件;并且

其中,所述一个或多个第二可切换部件包括一个或多个微机电(MEMS)电容器;

其中,所述组合式可变电抗包括组合式可变电容。

3.根据权利要求2所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个开关包括互补金属氧化物半导体(CMOS)开关。

4.根据权利要求2所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个开关包括绝缘体上硅(SOI)或蓝宝石上硅(SOS)开关。

5.根据权利要求2所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个固态电容器中的每一个包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器或者MIM电容器的多层综合。

6.根据权利要求2所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个固态受控器件位于所述一个或多个微机电电容器下方或上方。

7.根据权利要求2所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个固态受控器件中的每一个提供比所述一个或多个微机电电容器中的每一个的电容范围小的电容调谐范围。

8.根据权利要求7所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个微机电电容器中的每一个提供0.25pF的电容调谐范围;并且

其中,所述一个或多个固态受控器件中的每一个提供0.125pF或更小的电容调谐范围。

9.根据权利要求7所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个固态受控器件包括具有不同的电容调谐范围的多个固态受控器件。

10.根据权利要求7所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个微机电电容器中的每一个提供第一预定电容调谐范围;并且

其中,所述一个或多个固态受控器件中的每一个提供小于或等于所述第一预定电容调谐范围的一半(1/2)的电容调谐范围。

11.根据权利要求10所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个固态受控器件限定电容的二进制集合,其中,所述一个或多个固态受控器件中的每个电容器i提供所述第一预定电容调谐范围的的电容调谐范围。

12.根据权利要求1所述的调谐部件的可编程组合件,其中,所述一个或多个第一可切换部件以及所述一个或多个第二可切换部件被布置在单个单片半导体管芯中。

13.一种制造调谐部件的可编程组合件的方法,所述方法包括:

制造一个或多个第一可切换部件,所述一个或多个第一可切换部件被配置为输送第一可变电抗,其中,制造一个或多个第一可切换部件包括制造耦接至一个或多个固态电容器的一个或多个开关;以及

在所述一个或多个第一可切换部件的顶部、下方或旁边安装一个或多个第二可切换部件,所述一个或多个第二可切换部件被配置为输送第二可变电抗,所述一个或多个第二可切换部件包括一个或多个可变电容器,其中,所述一个或多个第二可切换部件的每一个包括至少第一电容电极,所述第一电容电极相对于第二电容电极是可移动的以改变所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的电容;

其中,所述一个或多个第一可切换部件的所述第一可变电抗与所述一个或多个第二可切换部件的所述第二可变电抗输送组合式可变电抗。

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