[发明专利]静电耗散可激光雕刻膜

权利要求书

1.一种可激光雕刻膜，包括：

包含聚碳酸酯的第一层；

包含聚碳酸酯的第二层；

混合在所述第一聚碳酸酯层内的防静电组合物，其中所述防静电组合物包含0.1重量％-10重量％的至少一种由氮或磷阳离子和弱配位氟代有机阴离子组成的离子盐，所述阴离子的共轭酸为超酸；

混合在所述第二聚碳酸酯层内的激光雕刻添加剂；并且

其中所述可激光雕刻膜的静电衰减时间小于30秒，并且其中所述可激光雕刻膜能够被激光雕刻成具有大于1的黑色密度。

2.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜能够在低于190℃下粘合至另一聚碳酸酯层。

3.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜的静电衰减时间小于5秒。

4.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中可激光雕刻添加剂包含金属氧化物。

5.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述膜为透明的。

6.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜具有30-250μm的厚度。

7.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述离子盐包括氮阳离子，其选自无环氮阳离子、饱和环状氮阳离子和芳族氮阳离子。

8.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述弱配位氟代有机阴离子是全氟化的。

9.一种身份识别文件，包括：

根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述膜被激光雕刻以在所述第二层聚碳酸酯层中包括标记。

10.根据权利要求9所述的身份识别文件，

聚合物膜，

安全装置；

其中所述可激光雕刻膜、安全装置和所述聚合物膜粘合在一起以形成所述身份识别文件。

11.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述离子盐包括至少一种氮阳离子。

12.根据权利要求11所述的可激光雕刻膜，其中所述离子盐包括至少一种无环氮阳离子或芳族氮阳离子。

13.根据权利要求12所述的可激光雕刻膜，其中所述无环氮阳离子为季铵阳离子。

14.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述弱配位氟代有机阴离子是全氟化的，并且其中所述阴离子选自全氟烷基磺酸酯、双(全氟烷基磺酰基)酰亚胺或三(全氟烷基磺酰基)甲基化物。

15.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述弱配位氟代有机阴离子是全氟化的，并且其中所述阴离子选自双(全氟烷基磺酰基)酰亚胺或三(全氟烷基磺酰基)甲基化物。

16.根据权利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述弱配位氟代有机阴离子是全氟化的，并且其中所述阴离子为双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。

17.一种可激光雕刻膜，包括：

第一聚碳酸酯层；

第二聚碳酸酯层；

混合在所述第一聚碳酸酯层内的防静电组合物，其中所述防静电组合物包含0.1重量％-10重量％的至少一种由氮或磷阳离子和弱配位氟代有机阴离子组成的离子盐，所述阴离子的共轭酸为超酸；

混合在所述第二聚碳酸酯层内的激光雕刻添加剂；并且

其中所述可激光雕刻膜的静电衰减时间小于30秒，并且其中所述可激光雕刻膜能够在低于190℃下粘合至另一聚碳酸酯层。

18.根据权利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜能够被激光雕刻成具有大于1的黑色密度。

19.根据权利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜的静电衰减时间小于5秒。

20.根据权利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻添加剂包含金属氧化物。

21.根据权利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述膜为透明的。

22.根据权利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜具有30-250μm的厚度。

23.根据权利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述离子盐包括氮阳离子，其选自无环氮阳离子、饱和环状氮阳离子和芳族氮阳离子。