[发明专利]用于OLED器件的分层结构,用于制造所述分层结构的方法,以及具有所述分层结构的OLED器件有效
申请号: | 201380030883.4 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN104364928B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 李荣盛;韩镇宇;白志雄 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 臧永杰,胡莉莉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 oled 器件 分层 结构 制造 方法 以及 有所 | ||
1.一种用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,所述分层结构包括光透射衬底和形成在光透射衬底的一侧上的内部提取层,
其中内部提取层包括:
包含由固体颗粒和孔组成的散射元件的散射区域,所述固体颗粒具有随其离开与光透射衬底的界面而减小的密度,并且所述孔具有随其离开与光透射衬底的界面而增加的密度,同时散射元件的总体分布随其离开与光透射衬底的界面而减小,使得在邻近于与光透射衬底的界面的区域中形成散射元件的最高密度,所述散射区域被划分成第一区域和第二区域,其中大多数固体颗粒存在于第一区域中,其通过包含固体颗粒的第一玻璃料浆形成,并且大多数孔被包含在第二区域中,其通过不包含固体颗粒的第二玻璃料浆形成;以及
其中不存在散射元件的自由区域,其从与所述界面相对的内部提取层的表面形成到预定深度。
2.根据权利要求1所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中所有固体颗粒的多于90%存在于与内部提取层自所述界面的整个厚度的一半或三分之二相对应的第一区域中。
3.根据权利要求2所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中第二区域中的孔的密度高于第一区域中的孔的密度,第二区域被限定在第一区域的边界与自由区域的边界之间。
4.根据权利要求3所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中第一区域具有5到15μm的厚度,第二区域具有3到10μm的厚度,并且内部提取层的整个厚度为8到25μm。
5.根据权利要求4所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中自由区域具有0.5到2.0μm的厚度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中散射元件的密度随其从界面去往自由区域的边界而逐渐减小。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中固体颗粒包括选自包括SiO2、TiO2和ZrO2的组中的至少一种。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中内部提取层包括玻璃材料。
9.根据权利要求8所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中玻璃材料包括55到84 wt% Bi2O3、0到20 wt% BaO、5到20 wt% ZnO、1到7 wt% Al2O3、5到15 wt% SiO2以及5到20 wt% B2O3。
10.根据权利要求9所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中玻璃材料还包括0.05到3 wt% Na2O和/或0到0.3 wt% CeO2。
11.根据权利要求9所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中除不可避免的微量之外,玻璃材料不包含任何TiO2或ZrO2。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中玻璃材料包括65到80 wt% Bi2O3和0到5 wt% BaO。
13.根据权利要求1至5中任一项所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,还包括形成在内部提取层上的光透射阻挡层。
14.根据权利要求13所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中阻挡层包括选自包括SiO2和Si3N4的组中的至少一种并且被形成为单层或多层。
15.根据权利要求13所述的用于有机发光二极管(OLED)器件的分层结构,其中阻挡层具有5到50nm的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择