[发明专利]可连接到微电子基板的相反表面的用于测试的转换器以及相关的系统和方法有效
申请号: | 201380030314.X | 申请日: | 2013-04-04 |
公开(公告)号: | CN104350588B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 摩根·T·约翰逊 | 申请(专利权)人: | 全斯莱瑞公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L25/16 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接到 微电子 相反 表面 用于 测试 转换器 以及 相关 系统 方法 | ||
1.一种用于测试微电子基板的方法,所述方法包括;
将第一转换器定位在第一区域中接近微电子基板,所述微电子基板具有第一主表面和背对所述第一主表面的第二主表面,所述微电子基板具有延伸穿过所述基板的导电的贯穿基板通孔,所述第一区域从所述微电子基板的所述第一主表面向外延伸,以及第二区域从所述第二主表面向外延伸;
在所述第一区域相对于所述微电子基板可释放地固定所述第一转换器;
当在所述第一区域相对于所述微电子基板固定所述第一转换器时,在所述第二区域相对于所述微电子基板可释放地固定第二转换器;
当所述第一转换器被定位在所述第一区域中时,以所述第一转换器电接入所述微电子基板的第一贯穿基板通孔;以及
当所述第一转换器和所述第二转换器相对于所述微电子基板被可释放地固定时,以所述第二转换器电接入所述微电子基板的所述第一贯穿基板通孔或第二贯穿基板通孔。
2.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器电接入所述微电子基板以及以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括以所述第一转换器和所述第二转换器同时电接入所述微电子基板。
3.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器接入所述微电子基板包括引导信号沿所述第一通孔到所述第二转换器,并且其中以所述第二转换器接入所述微电子基板包括接收所述信号。
4.根据权利要求3所述的方法,其中以所述第二转换器接入所述微电子基板包括引导自所述第一转换器接收到的所述信号或其他信号到所述第一转换器。
5.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器电接入所述微电子基板和以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括:
在所述第二转换器接收来自所述第一转换器的第一信号;以及
响应接收所述第一信号,引导所述第一信号或第二信号到所述微电子基板。
6.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器电接入所述微电子基板和以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括:
在所述第二转换器接收来自所述第一转换器的第一信号;以及
响应接收所述第一信号,引导所述第一信号或第二信号到所述第一转换器。
7.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器电接入所述微电子基板和以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括:
沿所述第一通孔引导来自所述第一转换器的第一信号;
在所述第二转换器接收来自所述第一转换器的第一信号;
响应接收所述第一信号,沿所述第二贯穿基板通孔引导所述第一信号或第二信号到所述第一转换器或所述微电子基板,所述第二贯穿基板通孔不同于所述第一贯穿基板通孔。
8.根据权利要求7所述的方法,其中当所述第一信号被导入时,所述第一通孔是被供电的管芯的一部分,而当所述第一信号或所述第二信号沿着所述第二贯穿基板通孔被导入时,所述第二通孔是未被供电的管芯的一部分。
9.根据权利要求1所述的方法,进一步包括路由在所述第二转换器接收的来自第一转换器的信号到所述微电子基板、所述第一转换器和所述第二转换器以外的装置。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一通孔是第一管芯的一部分,并且其中所述方法进一步包括通过以下方式模拟堆叠管芯:
路由来自所述第一转换器的信号通过所述第一通孔到所述第二转换器;
使用所述第二转换器以路由来自所述第一通孔的所述信号到所述第二通孔;
在所述第一转换器接收来自所述第二通孔的所述信号;以及
使用第一转换器以路由来自所述第二通孔的所述信号到所述微电子基板的第三通孔,所述第三通孔是不同于所述第一管芯的第二管芯的一部分。
11.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器接入所述微电子基板和以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括:
使用所述第一转换器和所述第二转换器中的一个沿不完整的管芯的通孔发射信号;以及
使用所述第一转换器和所述第二转换器中的另一个发射所述信号到完整的管芯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造