[发明专利]使非导电塑料表面金属化的方法有效

专利信息
申请号: 201380029727.6 申请日: 2013-06-05
公开(公告)号: CN104364421B 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: L.纳鲁斯克维丘斯;D.布迪洛夫斯基斯;O.吉利内;L.塔马索斯凯特塔马休奈特 申请(专利权)人: 安美特德国有限公司
主分类号: C23C18/20 分类号: C23C18/20;C23C18/24;C23C18/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 周李军,李炳爱
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 导电 塑料 表面 金属化 方法
【权利要求书】:

1.使制品的非导电塑料表面金属化的方法,所述方法包括以下步骤:

A) 用水性蚀刻溶液蚀刻所述塑料表面;

B) 用金属胶体或金属化合物的溶液处理所述塑料表面,所述金属选自元素周期表第I族过渡金属和元素周期表第VIII族过渡金属;并且

C) 用金属化溶液使所述塑料表面金属化;

其特征在于所述蚀刻溶液包含得到0.01至0.08mol/L氯酸根离子浓度的氯酸根离子源和50-80%体积硫酸,其中所述蚀刻溶液不含铬III离子和铬VI离子。

2.权利要求1的方法,其特征在于在方法步骤A)中蚀刻溶液中的氯酸根离子源选自氯酸钠和氯酸钾。

3.权利要求1的方法,其特征在于氯酸根离子浓度为0.01mol/L-0.06mol/L。

4.权利要求1的方法,其特征在于氯酸根离子浓度为0.01mol/L-0.04mol/L。

5.权利要求1的方法,其特征在于硫酸离子浓度为60%体积-70%体积。

6.权利要求1的方法,其特征在于所述蚀刻溶液进一步包含2至20g/L的量的第二氧化剂,所述第二氧化剂具有超过氯酸根离子的标准氧化电位。

7.权利要求1的方法,其特征在于所述蚀刻溶液进一步包含磷酸。

8.权利要求7的方法,其特征在于磷酸浓度为10%体积-30%体积。

9.权利要求1的方法,其特征在于方法步骤B)中的金属为钯。

10.权利要求1的方法,其特征在于所述塑料表面已由至少一种非导电塑料制成,且所述至少一种非导电塑料选自丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚酰胺、聚碳酸酯和丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物与至少一种其它聚合物的混合物。

11.权利要求1的方法,其特征在于在方法步骤A)和B)之间进行以下另外的方法步骤:

A i) 在包含用于氯酸根离子的还原剂的溶液中处理所述塑料表面。

12.权利要求11的方法,其特征在于所述还原剂选自硫酸羟铵、氯化羟铵和过氧化氢。

13.权利要求1的方法,其特征在于在方法步骤A)和B)之间进行以下另外的方法步骤:

A i) 在含包含氢氧根离子源的中和剂的溶液中处理所述塑料表面。

14.前述权利要求中任一项的方法,其特征在于在方法步骤B)和C)之间进行以下另外的方法步骤:

B i) 在酸性水溶液中处理所述塑料表面,并且

B ii) 在金属化溶液中使所述塑料表面无电金属化。

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