[发明专利]存储电路

权利要求书

1.一种存储电路，其特征在于，具备：

存储器区域，该存储器区域矩阵状地配置了多个存储单元，每个存储单元具有存储数据的双稳态电路和非易失性元件，该非易失性元件非易失性地保存存储在上述双稳态电路中的数据，并将非易失性地保存的数据恢复到上述双稳态电路中；

控制线，与上述非易失性元件连接；和

控制部，设置在上述存储器区域的外部，在多个上述存储单元中的每个存储单元中，判定上述双稳定电路与上述非易失性元件的数据是否一致，在判定为上述双稳态电路与上述非易失性元件的数据一致的情况下，不向上述控制线施加用于将上述双稳态电路的数据保存于上述非易失性元件中的电压，而在判定为上述双稳态电路与上述非易失性元件的数据不一致的情况下，向上述控制线施加用于将上述双稳态电路的数据保存于上述非易失性元件中的电压。

2.根据权利要求1所述的存储电路，其特征在于，

上述非易失性元件通过改变电阻值来保存上述双稳态电路的数据。

3.根据权利要求1或2所述的存储电路，其特征在于，

上述非易失性元件的一端与上述双稳态电路内的节点连接，上述非易失性元件的另一端与上述控制线连接，

上述控制部基于在上述双稳态电路中存储有数据时的上述控制线的电压，判定上述双稳态电路与上述非易失性元件的数据是否一致。

4.根据权利要求3所述的存储电路，其特征在于，

上述双稳态电路包括相辅的第1节点以及第2节点，

上述非易失性元件包括：一端与上述第1节点连接且另一端与上述控制线连接的第1非易失性元件；和一端与上述第2节点连接且另一端连接在与上述控制线之间的第2非易失性元件。

5.根据权利要求3所述的存储电路，其特征在于，

上述存储电路具备读出上述双稳态电路的数据的读出电路，

上述控制部基于上述读出电路的输出和上述控制线的电压，判定上述双稳态电路与上述非易失性元件的数据是否一致。

6.根据权利要求5所述的存储电路，其特征在于，

上述双稳态电路包括相辅的第1节点以及第2节点，

上述控制线包括第1控制线和第2控制线，

上述非易失性元件包括：一端与上述第1节点连接且另一端与第1控制线连接的第1非易失性元件；和一端与上述第2节点连接且另一端连接在与第2控制线之间的第2非易失性元件，

上述控制部基于上述读出电路的输出和上述第1控制线及上述第2控制线的电压，判定上述第1非易失性元件与上述第2非易失性元件的数据是否矛盾。

7.根据权利要求1或2所述的存储电路，其特征在于，

上述控制部在接收到跳跃信号的情况下，不进行上述双稳态电路与上述非易失性元件的数据是否一致的判定。

8.一种存储电路，其特征在于，具备：

存储器区域，该存储器区域矩阵状地配置了多个单元，每个单元具有存储数据的双稳态电路和非易失性元件，该非易失性元件非易失性地保存存储在上述双稳态电路中的数据，并将非易失性地保存的数据恢复到上述双稳态电路中，并且上述存储器区域被分割成各个区域具有至少两个单元的多个区域；

控制线，与上述非易失性元件连接；和

控制部，设置在上述存储器区域的外部，在多个上述区域的每一个区域中，判定上一次在上述双稳态电路中恢复数据之后是否在对应的区域所包含的单元的至少一个单元中易失性地重写了上述双稳态电路的数据，在判定为未被重写的情况下，不向上述控制线施加用于在上述对应的区域所包含的单元中将上述双稳态电路的数据保存于上述非易失性元件中的电压，在判定为被重写的情况下，向上述控制线施加用于在上述对应的区域所包含的单元中将上述双稳态电路的数据保存于上述非易失性元件中的电压。

9.根据权利要求8所述的存储电路，其特征在于，

在多个上述区域的每个区域中具备存储部，该存储部存储上述双稳态电路的至少一个的数据是否被重写。

10.根据权利要求8所述的存储电路，其特征在于，

上述控制部在接收到跳跃信号的情况下，不进行上一次在上述双稳态电路中恢复数据之后多个上述双稳态电路的数据是否被易失性地重写的判定。

11.根据权利要求1或8所述的存储电路，其特征在于，

上述非易失性元件为强磁性隧道结元件。