[发明专利]混合储存集合去除重复有效
申请号: | 201380023858.3 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN104272272B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 拉杰什·桑达拉姆;道格拉斯·P·杜塞特;拉维坎特·德罗纳拉朱 | 申请(专利权)人: | NETAPP股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/00 | 分类号: | G06F12/00;G06F12/06;G06F13/14 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 集合 储存 去除 缓存状态 物理存储介质 方法和设备 重复提供 重复 | ||
1.一种用于数据存储的方法,包括:
操作包括不同类型的物理存储介质的多个层的混合储存集合,其中所述多个层中的第一存储层包括持久性存储介质,其相较所述多个层中的第二存储层的持久性存储介质具有较小的延迟;将所述第一存储层操作为所述第二存储层的缓存;
识别包含相同数据的所述混合储存集合的第一存储块和第二存储块;
识别所述第一存储块和所述第二存储块的缓存状态,所述缓存状态包括读缓存、读被缓存以及写缓存中的一个或多个;以及
基于所述第一存储块和所述第二存储块的所述缓存状态对所述第一存储块和所述第二存储块进行去除重复。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一存储层的所述持久性存储介质包括固态储存装置,所述第二存储层的所述持久性存储介质包括基于磁盘的储存装置。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个层的第三存储层包括存储介质,其相比所述第一存储层的所述持久性存储介质具有较低的延迟,并且还包括将所述第三存储层作为一个或多个所述第一存储层和所述第二存储层的缓存。
4.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一存储块和所述第二存储块位于所述第二存储层中;
第三存储块位于所述第一存储层中,其包含与所述第一存储块相同的数据以及与所述第一存储块相关联的元数据指向所述第三存储块;以及
去除重复包括改变与所述第二存储块相关联的元数据指向所述第一存储块。
5.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:
接收读取所述第二存储块的请求;以及
发送所述第三存储块的数据以响应所述请求。
6.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一存储层被操作为所述第二存储层的缓存;
所述第一存储块以及所述第二存储块位于所述第二存储层;
位于所述第一存储层的第三存储块包含与所述第一存储块相同的数据以及与所述第一存储块相关联的元数据指向所述第三存储块;以及
去除重复包括改变与所述第三存储块相关联的元数据指向所述第二存储块以及改变与所述第一存储块相关联的元数据指向所述第二存储块。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括:
接收读取所述第一存储块的请求;以及
发送所述第三存储块的数据以响应所述请求。
8.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一存储层被操作为所述第二存储层的缓存;
所述第一存储块位于所述第一存储层中,并具有低于阀值的访问频率;
所述第二存储块位于所述第二存储层;以及
去除重复包括改变所述第二存储块的元数据指向所述第一存储块以将所述第一存储块作为所述第二存储块的缓存。
9.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一存储层被操作为所述第二存储层的缓存;
所述第一存储块以及所述第二存储块位于所述第一存储层中;
第一参考计数指示使用所述第一存储块的文件的数目,第二参考计数指示使用所述第二存储块的文件的数目,其中所述第一参考计数大于所述第二参考计数;以及
去除重复包括:
改变所述第二存储块的元数据以指向所述第一存储块;以及
添加所述第二存储块的访问频率至所述第一存储块的访问频率。
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