[发明专利]弹性波装置及其制造方法

权利要求书

1.一种弹性波装置，其具有铌酸锂膜，并利用SH型表面波，具备：

支撑基板；

高声速膜，其形成在所述支撑基板上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜中传播的弹性波的声速更高速；

低声速膜，其层叠在所述高声速膜上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜中传播的体波声速更低速；

所述铌酸锂膜，其层叠在所述低声速膜上；和

IDT电极，其形成在所述铌酸锂膜的一面，

在将所述铌酸锂膜的欧拉角设为(0°±5°，θ，0°)时，θ处于0°～8°以及57°～180°的范围内。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，

所述铌酸锂膜的欧拉角的θ处于83°～145°的范围内。

3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，

所述铌酸锂膜的欧拉角的θ处于100°～160°的范围内。

4.根据权利要求1～3的任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，

所述低声速膜由氧化硅构成。

5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其特征在于，

在将所述氧化硅的膜厚设为x，将所述铌酸锂膜的膜厚设为y，将SH型表面波的基本模式的波长设为λ时，xy坐标系中，(x，y)处于按顺序将(0.023λ，0.3λ)、(0.05λ，0.20λ)、(0.10λ，0.14λ)、(0.20λ，0.125λ)、(0.44λ，0.14λ)、(0.47λ，0.20λ)、(0.435λ，0.25λ)、(0.3λ，0.36λ)、(0.15λ，0.42λ)、(0.08λ，0.42λ)、(0.05λ，0.40λ)以及(0.23λ，0.3λ)的各点连结的区域内。

6.根据权利要求1～5的任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，

所述高声速膜由从氮化铝、氮化硅以及氧化铝所构成的群中选择的1种或者这些材料所构成的膜的层叠膜构成。

7.根据权利要求6所述的弹性波装置，其特征在于，

在将SH型表面波的基本模式的波长设为λ时，所述高声速膜的膜厚处于0.3λ～1λ的范围内。

8.根据权利要求7所述的弹性波装置，其特征在于，

所述IDT电极由Au构成，在将SH型表面波的基本模式的波长设为λ时，由Au构成的该IDT电极的厚度处于0.01λ～0.03λ的范围。

9.根据权利要求1～8的任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，

所述支撑基板的线膨胀系数比所述铌酸锂膜的线膨胀系数小。

10.根据权利要求1～9的任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，

所述低声速膜的固有声阻抗比所述铌酸锂膜的固有声阻抗小。

11.一种弹性波装置的制造方法，具备：

准备支撑基板的工序；

在所述支撑基板上，形成传播的体波声速比在铌酸锂中传播的弹性波声速更高速的高声速膜的工序；

在所述高声速膜上，形成传播的体波声速比在铌酸锂中传播的体波声速更低速的低声速膜的工序；

在所述低声速膜上，形成欧拉角(0°±5°，θ，0°)中的θ处于0°～8°或者57°～180°的范围内的铌酸锂膜的工序；和

在所述铌酸锂膜的一面形成IDT电极的工序。

12.根据权利要求11所述的弹性波装置的制造方法，其特征在于，

在所述支撑基板上，形成所述高声速膜、所述低声速膜以及所述铌酸锂膜的工序具备：

(a)从厚度比所述铌酸锂膜厚的铌酸锂基板的一面进行离子注入的工序；

(b)在进行了所述离子注入的铌酸锂基板的所述一面形成低声速膜的工序；

(c)在所述低声速膜的与所述铌酸锂基板相反的一侧的面形成高声速膜的工序；

(d)在所述高声速膜的与层叠了所述低声速膜的一侧的面相反侧的面接合支撑基板的工序；和

(e)对所述铌酸锂基板进行加热，同时在所述铌酸锂基板的注入离子浓度最高的高浓度离子注入部分，将所述铌酸锂膜与剩余的铌酸锂基板部分分离，使所述低声速膜侧残留所述铌酸锂膜的工序。