[发明专利]投射曝光设备的照明光学单元有效
申请号: | 201380013861.7 | 申请日: | 2013-03-05 |
公开(公告)号: | CN104169800B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | I.桑格 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B26/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈金林 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 投射 曝光 设备 照明 光学 单元 | ||
相关申请的交叉引用
德国专利申请DE 10 2012 203 950.3的内容通过引用并入于此。
技术领域
本发明涉及一种投射曝光设备、尤其是EUV投射曝光设备的照明光学单元,用于将照明光引向照明场(illumination field),光刻掩模(lithography mask)可布置在照明场中。此外,本发明涉及:一种包含此照明光学单元的照明系统、一种包含此照明系统的投射曝光设备、一种借助此投射曝光设备制造微结构或纳米结构组件(尤其是半导体芯片)的方法和一种通过所述方法制造的微结构或纳米结构组件。
背景技术
尤其从US 2011/0001947 A1获知EUV投射曝光设备的照明光学单元。
发明内容
本发明的目的在于开发序言中所提类型的照明光学单元,致使照明可适用于在投射曝光期间获得最佳解析能力。
根据本发明,利用包含权利要求1所述的特征的照明光学单元达成此目的。
根据本发明,已认识到,尤其由于单独反射镜的多层反射涂层(multilayer reflective coating),可利用单独反射镜的反射几何形状(reflection geometry)进行照明光的偏振选择。所述偏振选择因以下事实而发生:相对于平行于入射平面偏振的照明光,偏好反射垂直于相应单独反射镜处的反射的入射平面偏振的照明光。从基本上以未偏振方式入射于分面反射镜布置(facet mirror arrangement)的照明光,可以此方式产生具有以优选方向偏振的照明光部分束(illumination light partial beam)的照明光。因此可提供照明场的照明,其中,尤其取决于照明角,在各情况中以有目标的方式使用满足高要求分辨率规定所需的偏振。Rp/Rs比可小于0.7、可小于0.6、可小于0.5、可小于0.4、可小于0.3、可小于0.2、可小于0.1、可小于0.05、可小于0.02、可小于0.01、可小于1x 10-3、可小于1x 10-4及可小于1x 10-5。尤其,Rp/Rs比可精确为0;因此,可利用在相应单独反射镜处的反射,完全抑制相应照明光部分束在入射平面中偏振的分量。通常,第二分面反射镜的分面连同第一分面反射镜的单独反射镜组一起使组照明通道(group illumination channel)完整,第二分面反射镜的所述分面及第一分面反射镜的单独反射镜的组属于所述组照明通道。此布置原则上见于US 2011/0001947 A1。可利用相应照明光部分束在单独反射镜上的入射角来预定Rp/Rs比,并且取决于多层反射涂层的构造,Rp/Rs比灵敏地取决于所述入射角。
根据权利要求2的入射角尤其适于预定偏好垂直于入射平面振荡的偏振分量的Rp/Rs比。入射角与布鲁斯特角(Brewster Angle)的偏差可小于20°、可小于10°、可小于5°、可小于3°、可小于2°或可小于1°。尤其,入射角可精确对应于布鲁斯特角。
根据权利要求3或4所述的旋转对称布置的载体(carrier)使得照明光部分束在分面反射镜处的反射几何形状成为可能,对于该分面反射镜,使用与平均入射角仅稍微偏差的入射角,平均入射角是用于预定所要Rp/Rs比的入射角。
根据权利要求5所述的环形分面载体尤其使得正切偏振(tangential polarization)在照明场的照明中成为可能,在此情况中,独立于照明角,以垂直于照明光在物体上的入射平面偏振的方式照明照明场中的物体。
根据权利要求6所述的照明场的逐区照明(section-by-section illumination)使得可以镜面反射体(specular reflector)的方式布置照明光学单元,除了偏振预定之外,例如见于US 2006/0132747 A1。照明场的照明区段(section)可小于总照明场的50%,或甚至更小,如,总照明场的1/3、1/4、1/6,或可包含总照明场的甚至更小的比例。
根据权利要求7所述的照明系统、根据权利要求8所述的投射曝光设备、根据权利要求9所述的制造方法和根据权利要求10所述的组件的优点对应于以上参考根据本发明的照明光学单元已说明的优点。可以极高的结构分辨率制造组件。举例而言,可以此方式制造极高集成密度或储存密度的半导体芯片。
附图说明
下面参考示图更详细说明本发明的示例性实施例。其中:
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