[发明专利]用于PLL环路滤波器电容器的电容器漏泄补偿

权利要求书

1.一种电路，包括：

包括电容器的环路滤波器；

包括电荷泵输出节点、第一运算放大器和电荷泵输出电压副本节点CPOVRN的电荷泵，其中所述电荷泵输出节点被耦合至所述环路滤波器，并且其中所述CPOVRN直接耦合到所述第一运算放大器的高阻抗非反向输入引线；以及

具有第二运算放大器和输出节点的电容器漏泄补偿电路，其中所述第二运算放大器包括非反向输入引线、反相输入引线以及输出引线，其中所述反相输入引线被直接耦合到所述CPOVRN，其中所述非反相输入引线被直接耦合到副本电容器并且所述电容器漏泄补偿电路的输出引线被耦合到所述环路滤波器的电容器，其中所述电容器漏泄补偿电路感测所述CPOVRN上呈现的感测电压并跨所述副本电容器施加这一感测电压，其中所述电容器漏泄补偿电路将补偿电流提供到所述电容器的极板上，并且其中跨所述副本电容器的感测电压基本上等于跨所述电容器的电压。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电荷泵包括输出部分和电流控制部分，其中所述CPOVRN是所述电流控制部分内的节点，其中所述输出部分经由所述电荷泵输出节点将正电流脉冲和负电流脉冲提供给所述环路滤波器，并且其中所述电流控制部分控制所述输出部分以使得所述正电流脉冲与所述负电流脉冲基本上是相同幅值。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电容器漏泄补偿电路进一步包括：

具有栅极、源极、以及漏极的第一晶体管，其中该漏极被耦合至所述副本电容器；以及

具有栅极、源极、以及漏极的第二晶体管，其中该漏极被耦合至所述环路滤波器的所述电容器的所述极板，并且

其中所述第二运算放大器的所述输出引线被耦合至所述第一晶体管的栅极并被耦合至所述第二晶体管的栅极。

4.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述环路滤波器进一步包括：

耦合在所述电荷泵输出节点与所述电容器的所述极板之间的电阻器。

5.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述环路滤波器进一步包括：

耦合在所述电荷泵输出节点与压控振荡器(VCO)的输入引线之间的无源低通滤波器。

6.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电荷泵的所述电流控制部分包括所述第一运算放大器，其中所述电流控制部分的所述第一运算放大器具有第一输入引线和第二输入引线，其中所述第一输入引线被耦合至所述电荷泵输出节点，并且其中所述第二输入引线包括所述第一运算放大器的高阻抗非反向输入引线。

7.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述环路滤波器的所述电容器的所述极板经由至少一个无源低通滤波器被耦合至压控振荡器(VCO)的输入引线。

8.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述环路滤波器的所述电容器的所述极板经由两个串联连接的无源低通滤波器被耦合至压控振荡器(VCO)的输入引线。

9.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电荷泵的电流控制部分包括第一P沟道晶体管、第二P沟道晶体管、以及第一N沟道晶体管和第二N沟道晶体管，其中所述第一和第二P沟道晶体管以及所述第一和第二N沟道晶体管串联耦合在一起以建立从供电电压导体穿过所述CPOVRN并到达接地导体的电流路径。

10.如权利要求9所述的电路，其特征在于，所述第一P沟道晶体管的栅极是接地的，其中供电电压呈现于所述第二N沟道晶体管的栅极上，其中偏置电压呈现于所述第一N沟道晶体管的栅极上，并且其中所述第一N沟道晶体管的漏极被耦合至所述CPOVRN。

11.如权利要求10所述的电路，其特征在于，所述电流控制部分进一步包括第一运算放大器，其中所述电流控制部分的所述第一运算放大器具有被耦合至所述第二P沟道晶体管的栅极的输出引线、被耦合至所述电荷泵输出节点的第一输入引线、以及包括所述第一运算放大器的高阻抗非反向输入引线的第二输入引线。