[发明专利]适于光学耦合层的包含表面改性高折射率纳米粒子的组合物

说明书

背景技术

有机发光二极管(OLED)器件包括电致发光有机材料膜，所述膜夹在阴极和阳极之间，其中这些电极中的一个或两个是透明导体。在横跨所述器件施加电压时，从各自的电极射出电子和空穴，并且所述电子和空穴通过中间形成放射性激子而在电致发光有机材料中复合。

在OLED器件中，超过70％的生成光通常由于在器件结构内的工艺而损失。光在较高折射率的有机和氧化铟锡(ITO)层与较低折射率的基底层之间的界面处的捕集是提取效率不足的主要原因。仅相对少量的所发射光作为“可用光”穿过透明电极出现。大部分光会发生内反射，这导致这些光从器件边缘发出，或陷在器件内并在反复穿行之后最终因吸收到器件内而损失掉。

已描述了多种与OLED器件一起使用的光提取膜以增加可用光的量。行业将发现适于将光提取膜耦合至OLED器件的组合物的优点。

发明内容

在一个实施例中，描述了一种耦合光学膜的方法，所述方法包括：1)提供光学膜；2)提供基底；3)将光学耦合层涂敷至光学膜的表面层、基底、或它们的组合；其中所述光学耦合层包含至少40wt.-％的无机纳米粒子和聚合硅烷表面处理剂，所述无机纳米粒子具有至少1.85的折射率；以及4)将光学膜层合到基底，从而形成层合的光学构造。

在其他实施例中，描述了层合的光学构造，所述层合的光学构造包含光学膜；设置在所述光学膜的表面层上的光学耦合层。所述光学耦合层包含至少40wt.-％的无机纳米粒子和聚合硅烷表面处理剂，所述无机纳米粒子具有至少1.85的折射率。使基底粘结至光学膜的相对表面处的光学耦合层。在一些实施例中，将所述方法和层合的光学构造的光学耦合层设置在光学膜的表面层上，其中所述表面层具有至少1.60的折射率。在一个实施例中，层合的光学构造为中间体。在此实施例中，基底可为隔离衬片。然后可将此中间体提供给OLED制造商，其移除隔离衬片且使光学耦合层粘结至光学基底，诸如有机发光二极管(OLED)器件。

在另一个实施例中，描述了涂料组合物，该涂料组合物包含至少40wt.-％的无机纳米粒子和聚合硅烷表面处理剂，所述无机纳米粒子具有至少1.85的折射率。在一个实施例中，涂料组合物可完全由经表面处理的无机纳米粒子组成，即，涂料组合物可不含(甲基)丙烯酸酯单体，特别是分子量为1,000g/mol或更小的单体。

附图说明

附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分，并且它们结合具体实施方式阐明本发明的优点和原理。

图1为示出光提取膜的各层的示意图；

图2为一维周期性结构的透视图；

图3为二维周期性结构的透视图；

图4A为示出具有不同节距的纳米结构的第一多周期性区的示意图；

图4B为示出具有不同节距的纳米结构的第二多周期性区的示意图；

图4C为示出具有不同节距的纳米结构的第三多周期性区的示意图；

图4D为示出具有不同节距的纳米结构的第四多周期性区的示意图；

图4E为示出具有不同节距的纳米结构的第五多周期性区的示意图；

图4F为示出具有不同纵横比的纳米结构的多周期性区的示意图；

图4G为示出具有不同形状的纳米结构的多周期性区的示意图；

图5为具有以亚单层涂敷至周期性结构上的纳米粒子的光提取膜的示意图；

图6为具有分布在整个回填层中的纳米粒子的光提取膜的示意图；

图7为具有光提取膜的顶发射OLED显示器件的示意图；

图8为示出将光提取膜层合到OLED器件的示意图；

图9为示出将光提取膜层合到OLED器件的示意图。

如本文所用，“光学膜”一般是指透光膜。通常以将光学膜设置在光源与观察者之间的方式利用光学膜。本文所述的光学耦合层特别适合设置在折射率为至少1.60的光学膜的表面层上，诸如光提取膜的回填层。