[发明专利]制备用于光电器件中的具有低应力和光学性能的薄膜的方法有效
申请号: | 201380011229.9 | 申请日: | 2013-02-27 |
公开(公告)号: | CN104136508B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | A·施密特;潘汉强;D·施彻博尔;王征 | 申请(专利权)人: | 科思创德国股份有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L69/00;C09D133/06 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人: | 王媛,钟守期 |
地址: | 德国勒*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 用于 光电 器件 中的 具有 应力 光学 性能 薄膜 方法 | ||
1.一种经涂布的薄膜,所述薄膜包括基底膜,所述基底膜包含至少一个含有至少一种聚碳酸酯或共聚碳酸酯的层,其特征在于,所述基底膜具有:
-小于100nm的光滞后
-表面粗糙度为200nm至20μm的粗糙面
-表面粗糙度小于200nm的另一面
-所述粗糙面上的辐射固化的涂层,所述涂层的表面具有小于200nm的表面粗糙度,
其中,所述聚碳酸酯或共聚碳酸酯含有由式(Ia)的二羟基二苯基环烷烃作为二羟基芳基化合物制备的单元,
其中
R1和R2彼此独立地代表氢;卤素;C1-C8-烷基;C5-C6-环烷基;C6-C10-芳基;和C7-C12-芳烷基,
m代表4至7的整数,
R3和R4对于每个X,其可单独选择,其彼此独立地代表氢或C1-C6-烷基,且
X代表碳,
条件是,在至少一个X原子上,R3和R4同时代表烷基。
2.权利要求1的经涂布的薄膜,其特征在于,所述涂层包含纳米颗粒。
3.权利要求1或2的经涂布的薄膜,其特征在于,所述基底膜和涂层在波长为550nm时的折射率差值小于0.04。
4.权利要求1或2的经涂布的薄膜,其特征在于,所述基底膜具有小于50nm的光滞后。
5.权利要求1或2的经涂布的薄膜,其特征在于,所述基底膜中的聚碳酸酯或共聚碳酸酯的玻璃化转变温度Tg等于或大于140℃。
6.权利要求1的经涂布的薄膜,其特征在于,由式(Ia)的二羟基二苯基环烷烃制备的单元是由式(Ia-1)至(Ia-3)的二羟基二苯基环烷烃制备的单元,
其中
R1和R2彼此独立地代表氢;卤素;C1-C8-烷基;C5-C6-环烷基;C6-C10-芳基;和C7-C12-芳烷基。
7.权利要求1或6的经涂布的薄膜,其特征在于,含有由式(Ia)的二羟基二苯基环烷烃制备的单元的聚碳酸酯或共聚碳酸酯是含有由1,1-二-(4-羟苯基)-3,3,5-三甲基-环己烷制备的单元的聚碳酸酯或共聚碳酸酯。
8.权利要求1或2的经涂布的薄膜,其特征在于,所述涂层为由含有纳米颗粒的可辐射固化的涂料组合物制备的涂层。
9.制备权利要求1至8中至少一项的经涂布的薄膜的方法,其特征在于:
-通过挤出或共挤出塑料熔体的挤出法或共挤出法制备基底膜,所述基底膜具有至少一个含有至少一种聚碳酸酯或共聚碳酸酯的层,所述基底膜具有小于100nm的光滞后,表面粗糙度为200nm至20μm的粗糙面和表面粗糙度小于200nm的另一面;随后在两个辊之间压延所述基底膜,所述两个辊中,一个辊具有钢表面,另一个辊具有弹性表面,
-然后用涂料组合物涂布由此制得的基底膜的粗糙面,且在干燥和任选地额外固化后,涂层具有小于200nm的粗糙度。
10.权利要求9的方法,其特征在于,使用含纳米颗粒的可辐射固化的涂料组合物进行涂布,其中,在施用涂料组合物并干燥后再进行通过辐射的固化。
11.权利要求9或10的方法,其特征在于,具有弹性表面的辊是具有橡胶表面的辊。
12.权利要求1至8中至少一项的经涂布的薄膜在光电器件中的用途。
13.权利要求1至8中至少一项的经涂布的薄膜在显示器或触摸屏中的用途。
14.一种光电器件,其包括至少一个权利要求1至8中至少一项的经涂布的薄膜。
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