[发明专利]用于制造太阳能电池模组的方法和设备以及包括柔性薄膜太阳能电池的太阳能电池模组无效
| 申请号: | 201380010738.X | 申请日: | 2013-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN104137271A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
| 发明(设计)人: | 克劳斯·施伦佩尔;迪特尔·伯格曼;沃尔克·布罗德 | 申请(专利权)人: | 米尔鲍尔股份公司 |
| 主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;B32B37/20;H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 高占元;邹秋菊 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 太阳能电池 模组 方法 设备 以及 包括 柔性 薄膜 | ||
1.一种用于制造薄膜太阳能电池模组的方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供(S10)第一薄膜网(F10)以应用柔性薄膜太阳能电池;
将一系列的间隔设置的导电接触垫(KS10)应用(S20)到所述第一薄膜网(F10);
提供(S30)一系列的柔性薄膜太阳能电池(DSZ10),(DSZ20..),所述柔性薄膜太阳能电池(DSZ10、DSZ20、…)包括:
○第一侧部(OS),所述第一侧部(OS)至少部分形成第一导电极(P1),以及
○第二侧部(US),所述第二侧部(US)至少部分形成第二导电极(P2),
○光伏有源层状结构(PV),在所述光伏有源层状结构(PV)的第一侧部(OS)上分配有至少一个导电体(C10、C20…)用以
■接触所述第一导电极(P1),并
■延伸经过所述光伏有源层状结构(PV)的一侧;
将提供的所述一系列的薄膜太阳能电池(DSZ10、DSZ20、…)应用到所述第一薄膜网(F10)以使得
■所述第二导电极(P2)与第一薄膜网(F1)上的所述接触垫(KS10)中的第一个的第一区域(B10)接触,
■与所述第一导电极(P1)接触的所述导电体(C10、C20…)接触到所述第一薄膜网(F1)上邻近所述第一接触垫(KS10)的第二接触垫的第二区域(B20),所述导电体(C10、C20…)的一部分延伸经过所述光伏有源层状结构(PV)的一侧;以及
层压透明、柔性、热塑性的第二薄膜网(F2)到所述第一薄膜网(F10)以及所述柔性薄膜太阳能电池(DSZ)以及所述导电体(C10、C20…)上。
2.根据权利要求1所述的用于制造薄膜太阳能电池模组的方法,其特征在于,
-在将各所述薄膜太阳能电池(DSZ10、DSZ20、DSZ…)应用到所述第一薄膜网(F10)上之前,或者
-在将各所述薄膜太阳能电池(DSZ10、DSZ20、DSZ…)应用到所述第一薄膜网(F10)上之后,
将各所述薄膜太阳能电池(DSZ10、DSZ20、DSZ…)的第一侧部的所述至少一个导电体(C10、C20…)分配至各所述薄膜太阳能电池(DSZ10、DSZ20、…)。
3.根据权利要求1所述的用于制造薄膜太阳能电池模组的方法,其特征在于,
至于其横截面和/或纵向延伸,所述至少一个导电体(C10、C20…)在分配到所述光伏有源层状结构(PV)之前至少部分嵌入到
●所述热塑性的第二薄膜网(F2)内,或
●载体带(TB)内,或
●热塑性粘合剂块内。
4.根据权利要求1-3所述的用于制造薄膜太阳能电池模组的方法,其特征在于,至少部分包围所述导电体(C10、C20…)的柔性覆盖层(AS)应用至所述层状结构(PV)的所述第一侧部(OS)以及应用至各所述薄膜太阳能电池(DSZ10、DSZ20、DSZ…)的所述导电体(C10、C20…)。
5.根据权利要求1-4所述的用于制造薄膜太阳能电池模组的方法,其特征在于,在进一步的步骤中,通过压制、激光焊接、焊接、锡焊或粘合生成所述导电体(C10、C20)与所述第二区域(B20)及所述第二接触垫(KS20)之间的接触。
6.根据权利要求1-5所述的用于制造薄膜太阳能电池模组的方法,其特征在于,所述压制步骤可通过在小于20秒的时间段内引入范围为大约120℃至大约170℃的温度来实现,在合适的情况下,至少一部分所述时间段内采用负压。
7.根据权利要求1-6所述的用于制造薄膜太阳能电池模组的方法,其特征在于,所述第一薄膜网(F10)沿传输方向(F)进行传输,横向移动的多个系列的
●间隔设置的导电接触垫(KS10)应用至所述第一薄膜网(10)上,
●随后多个所述薄膜太阳能电池(DSZ10、DSZ20、DSZ…)同时应用至所述第一薄膜网(10)上,至少一行所述薄膜太阳能电池相对所述传输方向倾斜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





