[发明专利]有机电子元件和有机电子元件的制造方法

权利要求书

1.一种有机电子元件，其特征在于，是在基板上具备隔着至少一层的有机功能层而对置的第一电极和第二电极而成的，

沿着所述有机电子元件的上表面和侧面直接设置有密封层，并且，

所述密封层是对以硅化合物为主成分的涂膜注入等离子体离子而得到的。

2.根据权利要求1所述的有机电子元件，其特征在于，所述硅化合物为选自聚硅氮烷化合物、聚有机硅氧烷化合物、聚硅烷化合物、以及聚碳硅烷化合物中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的有机电子元件，其特征在于，所述密封层的厚度为10～5000nm范围内的值。

4.一种有机电子元件，其特征在于，是在基板上具备隔着至少一层的有机功能层而对置的第一电极和第二电极而成的，

沿着所述有机电子元件的上表面和侧面直接设置有密封层，并且，

所述密封层是对以聚硅氮烷化合物为主成分的涂膜注入等离子体离子而得到的，并且，所述密封层从表面侧沿着深度方向包含第1区域和第2区域，所述第1区域的折射率为1.50～2.0范围内的值，所述第2区域的折射率为1.40以上且小于1.50范围内的值。

5.根据权利要求4所述的有机电子元件，其特征在于，所述第1区域的膜密度为2.3～4.0g/cm³范围内的值，且所述第2区域的膜密度为小于2.3g/cm³的值。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电子元件，其特征在于，所述有机电子元件为具备有机电致发光层作为所述有机功能层的有机电致发光元件。

7.一种有机电子元件的制造方法，其特征在于，有机电子元件是在基板上具备隔着至少一层的有机功能层而对置的第一电极和第二电极而成的，沿着该有机电子元件的上表面和侧面直接设置有密封层，

所述有机电子元件的制造方法包括下述工序(1)～(3)：

(1)有机电子元件形成工序，在所述基板上依次层叠第一电极、有机功能层以及第二电极，形成有机电子元件，

(2)膜形成工序，沿着所述有机电子元件的上表面和侧面直接涂布以硅化合物为主成分的涂液，形成涂膜，

(3)离子注入工序，向所述涂膜注入等离子体离子而形成密封层。

8.根据权利要求7所述的有机电子元件的制造方法，其特征在于，所述工序(2)中，使用选自聚硅氮烷化合物、聚有机硅氧烷化合物、聚硅烷化合物以及聚碳硅烷化合物中的至少一种作为所述硅化合物。

9.根据权利要求8所述的有机电子元件的制造方法，其特征在于，所述工序(2)中形成的涂膜是直接涂布以聚硅氮烷化合物为主成分的涂液而形成的，在所述工序(3)的离子注入工序前，将所述涂膜的折射率调整为1.48～1.63范围内的值。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的有机电子元件的制造方法，其特征在于，所述有机电子元件为具备有机电致发光层作为所述有机功能层的有机电致发光元件。