[发明专利]超低噪音电压基准电路有效
| 申请号： | 201380007710.0 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN104094180A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | A·J·卡尔布;J·S·沙弗兰 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | G05F3/20 | 分类号： | G05F3/20;G05F3/30;G05F3/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 噪音 电压 基准 电路 | ||
相关申请
本申请请求kalb等于2012年2月3日提交的临时专利申请号61/594851的权益。
技术领域
本发明一般涉及到电压基准电路，并且更具体地涉及具有非常低的噪声规格的电压基准电路。
背景技术
具有低或零温度系数(TC)的一种类型的电压基准电路是带隙电压基准。低TC是通过产生具有正TC(PTAT)的电压并相加其和具有负TC(CTAT)的电压以建立具有一阶零TC的基准电压而实现。产生的带隙基准电压的常规方法示于图1。放大器10向双极结型晶体管(BJT)Q1和Q2提供相等的电流；然而，Q1和Q2的发射极区域被故意制成不同的，这样两个晶体管的基极发射极电压的是不同的。这种差异△VBE是出现在电阻R2的PTAT电压。它与Q1的基极-发射极电压(VBE)(其是CTAT电压)相加以产生基准电压VREF，由下式给出：
VREF＝VBE，Q1+VPTAT＝VBE，Q1+K(VTln(N)+VOS)
其中，K＝R1/R2，VT是热电压，N是发射极面积之比，以及Vos是放大器10的偏置电压。
当这样安排时，在产生PTAT电压时产生的噪声Vn,PTAT由下式给出：
Marinca在美国专利号8228052中描述的另一种带隙电压基准的方法，示于图2。由于堆叠的独立△VBE单元，明确放大器并不适用该△VBE电压产生方法。这里，基准电压的输出由下式给出：
VREF＝ΔVBE1+ΔVBE2+…+ΔVBEK+VBE
每个△VBE单元的噪声互不相关；因此，PTAT电压的噪声贡献Vn,PTAT以RMS方式相加，由下式给出：
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国亚德诺半导体公司，未经美国亚德诺半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380007710.0/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
