[发明专利]热电的发电模块、金属-陶瓷基体以及用于制造金属-陶瓷基体的方法无效

专利信息
申请号: 201380007259.2 申请日: 2013-01-22
公开(公告)号: CN104106153A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: A·迈尔;J·舒尔茨-哈德 申请(专利权)人: 库拉米克电子学有限公司
主分类号: H01L35/32 分类号: H01L35/32
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 俄旨淳
地址: 德国埃*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 热电 发电 模块 金属 陶瓷 基体 以及 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种热电的发电模块,具有热区域和冷区域(1a、1b),所述发电模块包括:至少一个配设给热区域的第一金属-陶瓷基体(2),所述第一金属-陶瓷基体具有一个第一陶瓷层(6)和至少一个施加在第一陶瓷层(6)上的结构化的第一金属化部(4);和至少一个配设给冷区域(1b)的第二金属-陶瓷基体(4),所述第二金属-陶瓷基体具有一个第二陶瓷层(7)和至少一个设置在第二陶瓷层上的结构化的第二金属化部(5);以及多个容纳在金属-陶瓷基体(2、3)的结构化的第一和第二金属化部(4、5)之间的热电的发电构件(N、P),其特征在于,配设给热区域(1a)的第一金属-陶瓷基体(2)具有至少一个钢层或不锈钢层(8),第一陶瓷层(6)设置在结构化的第一金属化部(4)和所述至少一个钢层或不锈钢层(8)之间。

2.根据权利要求1所述的发电模块,其特征在于,在第一陶瓷层(6)和所述至少一个钢层或不锈钢层(8)层之间设有至少一个铜层(9)。

3.根据权利要求1或2所述的发电模块,其特征在于,配设给冷区域(1b)的第二金属-陶瓷基体(3)具有至少一个耐腐蚀的金属层(10),第二陶瓷层(7)设置在结构化的第二金属化部(5)和所述耐腐蚀的金属层(10)之间。

4.根据权利要求3所述的发电模块,其特征在于,耐腐蚀的金属层(10)通过不锈钢层、铝层或铜层构成。

5.根据权利要求1至4之一所述的发电模块,其特征在于,第一和第二金属化部这样结构化,使得第一和第二金属化部构成多个金属的接触面(4’、5’),这些接触面优选构造成长方形和/或正方形的。

6.根据权利要求5所述的发电模块,其特征在于,长方形的金属的接触面(4’、5’)的长边(a)接近是长方形的金属的接触面的宽边(b)的两倍长。

7.根据权利要求5或6所述的发电模块,其特征在于,长方形的金属的接触面(4’、5’)的长边(a)平行于模块横轴线(QA)延伸,而长方形的金属的接触面(4’、5’)的宽边(b)平行于模块纵轴线(LA)延伸。

8.根据权利要求5至7之一所述的发电模块,其特征在于,所述长边(a)在0.5mm至10mm之间,所述宽边(b)在0.2mm至5mm之间。

9.根据权利要求5至8之一所述的发电模块,其特征在于,金属的接触面(4’、5’)矩阵式地设置在相应陶瓷层(6、7)的表面侧上。

10.根据权利要求9所述的发电模块,其特征在于,长方形的金属的各接触面(4’、5’)构成平行于模块纵轴线(LA)延伸的行(R1、R2、Rx)以及平行于模块横轴线(QA)延伸的列(S1、S2、S3、Sy)。

11.根据权利要求5至10之一所述的发电模块,其特征在于,两个相邻的长方形的金属的接触面(4’、5’)沿模块横轴线(QA)的方向具有0.1mm至2mm的间距(d)。

12.根据权利要求5至11之一所述的发电模块,其特征在于,两个相邻的长方形的金属的接触面(4’、5’)沿模块纵轴线(LA)的方向具有0.1mm至2mm的间距(c)。

13.根据权利要求5至11之一所述的发电模块,其特征在于,在彼此隔开间距设置在相应的陶瓷层(6、7)上的长方形的金属的接触面(4’、5’)之间向陶瓷层(6、7)中引入分离线或预定断裂线(11、11’),所述分离线或预定断裂线优选沿模块横轴线(QA)的方向和/或沿模块纵轴线(LA)的方向延伸。

14.根据权利要求13所述的发电模块,其特征在于,所述分离线或预定断裂线(11、11’)以切缝、刻槽和/或刻痕的形式和/或以引入微裂纹的形式实现。

15.根据权利要求14所述的发电模块,其特征在于,分离线或预定断裂线(11、11’)的切缝、刻槽和/或刻痕从陶瓷层(6、7)的容纳金属化部(4、5)的表面侧(6’、7’)出发至少在相应陶瓷层(6、7)的层厚的十分之一上延伸。

16.根据权利要求14或15所述的发电模块,其特征在于,分离线或预定断裂线(11、11’)的切缝、刻槽和/或刻痕通过对陶瓷层(6、7)进行的激光处理或机械加工方法产生。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于库拉米克电子学有限公司,未经库拉米克电子学有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380007259.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top