[实用新型]OLED显示面板有效
申请号: | 201320877359.8 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN203690349U | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 张粲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 | ||
技术领域
本实用新型涉及有机光电器件制备领域,特别涉及一种OLED显示面板。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)具有自发光、全固态、宽视角、响应快等诸多优点,并且在平板显示中有着巨大的应用前景,OLED被认为是继LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)、PDP(Plasma Display Panel,等离子显示板)之后的新一代平板显示产品和技术。目前OLED在显示和照明领域都有广泛的应用。为了让半导体发光元件确保较高的功能可靠性及其较低的能耗,需要提高元件本身的外部量子效率(External quantum efficiency)。一般来说,半导体发光元件的外部量子效率取决于其本身的内部量子效率以及光取出效率。其中内量子效率由材料本身的特性所决定,因此在内部量子效率无法有效提升的情况下,增加半导体发光组件的光取出效率尤为重要。
在现有技术中,采用适当厚度且折射率相配的材料作为阴极覆盖层,可以提高顶发射器件的光取出效率。一般采用折射率越大的材料,阴极的透过率越大,越有利于光的取出。因此通常采用高折射率的材料作为增透层,增加顶发射器件的光取出效率。如图1所示,为现有技术提供的OLED显示面板结构示意图,在基板1上依次形成阳极2、有机发光层3及阴极4,在阴极4背离所述基板1的一侧形成一层平面光耦合层5。
然而,由于增透层的折射率大于空气折射率,如图1所示,光在出射到阴极覆盖层的顶端时,部分光发生了全反射,因此,在出光侧会发生全发射,不利于光的取出,损失了部分光。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
本实用新型解决的技术问题是:如何提供一种OLED显示面板,解决现有技术中在出光侧发生全反射的问题。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本实用新型实施例提供了一种OLED显示面板,包括依次形成在衬底基板上的阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层,还包括:形成在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧的由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层。
其中,所述表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。
其中,所述半圆柱的直径小于所述显示面板的亚像素宽度。
其中,所述表面为弧面的凸起结构为半球。
其中,所述半球的孔径宽度小于所述显示面板的亚像素宽度。
其中,所述第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n,λ为发光峰值波长;n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。
其中,所述n大于等于1.8。
其中,所述第一光耦合层和第二光耦合层的材料包括:ZnSe、TiO2、SiO2、Si3N4、Alq3其中之一或至少两种的混合材料。
(三)有益效果
本实用新型提供的OLED显示面板通过第二光耦合层表面为弧面的凸起结构使得原来在第一光耦合层表面将要发生全反射的光线透射出去,从而减少了光的全反射,增加了光的取出率,提高器件的外量子效率。
附图说明
图1是现有技术提供的OLED显示面板结构示意图;
图2是本实用新型实施例提供的OLED显示面板结构示意图;
图3是本实用新型实施例的OLED显示面板制作方法中提供的普通像素的精细掩膜板示意图;
图4是图3中的普通像素的精细掩膜板的沿A-A向的截面示意图;
图5是本实用新型实施例的OLED显示面板制作方法中提供的精细掩膜板示意图;
图6是图5中的精细掩膜板沿B-B向的截面示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
本实用新型实施例提供的一种OLED显示面板制作方法,制作如图2所示的OLED显示面板,该方法包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择