[实用新型]一种基板有效
申请号: | 201320860513.0 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN203786430U | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 徐伟;曹兆铿;贾彦;谭湘民;竺笛;莫英华;单文泽 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 | ||
1.一种基板,包括透明衬底以及形成在所述衬底上的多条信号线,其特征在于,
所述基板还包括位于所述衬底上的多个标记,所述多个标记分别与所述多条信号线一一对应,用于标识相对应的信号线,其中至少包括相邻两个标记中的一个为正向图案标记,另一个为反向图案标记。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,
所述标记从大到小对所述信号线进行标记,或者从小到大对所述信号线进行标记。
3.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,
所述基板还包括设置在所述正向图案标记下方且与所述正向图案标记电绝缘的正向阻挡层以及设置在所述反向图案标记上方且与所述反向图案标记电绝缘的反向阻挡层,
其中,所述正向阻挡层用于当从第一方向观察时对所述正向图案标记进行阻挡,所述反向阻挡层用于当从与第一方向相反的第二方向观察时对所述反向图案标记进行阻挡。
4.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,
所述正向图案标记和/或反向图案标记为金属,所述正向阻挡层和/或所述反向阻挡层为金属层。
5.根据权利要求1或2所述的基板,其特征在于,
所述正向图案标记和所述反向图案标记位于同一层或者不同层。
6.根据权利要求5所述的基板,所述基板为TFT阵列基板,所述正向图案标记和所述反向图案标记与所述TFT开关的栅极或源漏极位于同一层。
7.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,
所述基板为TFT阵列基板,当所述TFT阵列基板中的TFT开关为底栅结构,所述正向图案标记和所述反向图案标记与所述TFT开关的源漏极形成在同一层,所述正向阻挡层与所述TFT开关的栅极形成在同一层,所述反向阻挡层形成在所述反向图案标记上方,并与所述反向图案标记电绝缘。
8.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,
所述基板为TFT阵列基板,当所述TFT阵列基板中的TFT开关为底栅结构,所述正向图案标记和所述反向阻挡层与所述TFT开关的源漏极形成于同一层,所述正向阻挡层和所述反向图案标记与所述TFT开关的栅极形成在同一层。
9.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,
所述基板为TFT阵列基板,当所述TFT阵列基板中的TFT开关为顶栅结构,所述正向图案标记和所述反向图案标记形成在所述TFT开关中栅极和源漏极中距离所述衬底较远的一层中,且所述正向阻挡层形成在所述TFT开关中所述栅极和所述源漏极中距离所述衬底较近的一层中,所述反向阻挡层形成在所述反向图案标记上方,并与所述反向图案标记电绝缘。
10.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,
所述基板为TFT阵列基板,当所述TFT阵列基板中的TFT开关为顶栅结构,所述正向图案标记和所述反向阻挡层形成在所述TFT开关中栅极和源漏极中距离所述衬底较远的一层中,所述正向阻挡层和所述反向图案标记形成在所述TFT开关中所述栅极和所述源漏极中距离所述衬底较近的一层中。
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