[实用新型]一种硅基光波导偏振转换器有效
| 申请号： | 201320851302.0 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN203673098U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王苗庆 | 申请（专利权）人： | 绍兴中科通信设备有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126;G02B6/14 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基光 波导 偏振 转换器 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：包括硅衬底、覆盖在硅衬底上表面的二氧化硅层、硅波导层和金属条层，其中，所述硅波导层的横截面呈“L”形，其下表面生长或键合在二氧化硅层的上表面上，上表面形成一高台面和一低台面，金属条层覆盖在硅波导层的低台面上。
2.如权利要求1所述的一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：所述硅波导层的宽度为250-600纳米，高度为250-600纳米。
3.如权利要求1所述的一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：金属条层的金属条宽度与硅波导层低台面的宽度一致，在80-250纳米之间。
4.如权利要求3所述的一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：所述金属条层为金、银、铝或铜的其中一种，金属条层厚度为30-100纳米。
5.如权利要求1所述的一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：上述硅波导层低台面的高度为100-300纳米。
6.如权利要求1所述的一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：上述硅基光波导偏振转换器长度为1-10微米。
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