[实用新型]一种可实现区熔炉保温环二维调节机构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种可实现区熔炉保温环二维调节机构。

背景技术

近年来，各种晶体材料，特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。采用区熔法单晶生长技术制备的半导体硅材料，是重要的硅单晶产品，利用硅表面张力大的特点，故采用悬浮区熔法，简称FZ法或FZ单晶，用于制作电力电子器件、光敏二极管、射线探测器、红外探测器等。现有产品缺乏针对调整保温环位置而达到对单晶调温的作用，无法降低晶体内部热应力，通常情况下，单晶因过冷、过热、而出现丢苞、开裂等状况。因此，针对以上方面，需要对现有技术进行合理的改进。

实用新型内容

针对以上缺陷，本实用新型提供一种能够对单晶起到调温作用、可降低晶体内部热应力、防止单晶因过冷过热而出现丢苞及开裂的可实现区熔炉保温环二维调节机构，以解决现有技术的诸多不足。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种可实现区熔炉保温环二维调节机构，包括丝杆、通水基座、通水波纹管，所述通水基座上部设置有线性滑动导轨并且该线性滑动导轨与丝杆一端连接，该丝杆下端连接伞形齿轮组并且通过此伞形齿轮组与通水基座下方的手柄连接，所述通水基座外侧装有通水波纹管并且该通水波纹管其中一端与保温环相接，此保温环上安装一个保温环调节块；位于手柄转轴外围设置双向密封结构。

本实用新型所述的可实现区熔炉保温环二维调节机构的有益效果为：通过设置保温环调节块，结合线性滑动导轨、通水波纹管、丝杆等组件，可形成一套领域内专用的调节机构，通过调整保温环的位置，能够对单晶起到调温作用，降低晶体内部热应力，防止单晶因过冷、过热、而出现丢苞、开裂。

附图说明

下面根据附图对本实用新型作进一步详细说明。

图1是本实用新型实施例所述可实现区熔炉保温环二维调节机构示意图。

图中：

1、双向密封结构；2、伞形齿轮组；3、丝杆；4、线性滑动导轨；5、保温环调节块；6、保温环；7、通水基座；8、通水波纹管；9、手柄。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型实施例所述的可实现区熔炉保温环二维调节机构，包括丝杆3、通水基座7、通水波纹管8，所述通水基座7上部设置有线性滑动导轨4并且该线性滑动导轨4与丝杆3一端连接，该丝杆3下端连接伞形齿轮组2并且通过此伞形齿轮组2与通水基座7下方的手柄9连接，位于手柄9转轴外围设置双向密封结构1，所述通水基座7外侧装有通水波纹管8并且该通水波纹管8其中一端与保温环6相接，此保温环6上垂直安装一个保温环调节块5，通过旋转手柄9，设置调节块来实现保温环6左右上下移动。

以上实施例是本实用新型较优选具体实施方式的一种，本领域技术人员在本技术方案范围内进行的通常变化和替换应包含在本实用新型的保护范围内。