[实用新型]一种TCO薄膜有效
| 申请号: | 201320849466.X | 申请日: | 2013-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN203746868U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
| 发明(设计)人: | 张恒生;李廷凯 | 申请(专利权)人: | 湖南共创光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
| 地址: | 421001 湖南省衡*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 tco 薄膜 | ||
1.一种TCO薄膜,其特征是,它包括下层氧化锌接触层、上层氧化锌缓冲层,以及位于下层氧化锌接触层和上层氧化锌缓冲层之间的TCO中间层。
2.根据权利要求1所述TCO薄膜,其特征是,所述TCO薄膜为前电极TCO薄膜,前电极TCO薄膜的上层氧化锌缓冲层表面为U型绒面结构。
3.根据权利要求1或2所述TCO薄膜,其特征是,所述下层氧化锌接触层的厚度为50nm-500nm;所述TCO中间层的厚度为500nm-2400nm;所述上层氧化锌缓冲层的厚度为50nm-500nm;所述TCO薄膜的膜层总厚度为1500nm-2500nm。
4.根据权利要求1或2所述TCO薄膜,其特征是,所述下层氧化锌接触层、上层氧化锌缓冲层和TCO中间层均为掺杂有硼的氧化锌薄膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





