[实用新型]一种化学机械研磨垫有效
| 申请号: | 201320823999.0 | 申请日: | 2013-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN203611120U | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
| 发明(设计)人: | 唐强;马智勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/26 | 分类号: | B24B37/26 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
| 地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 化学 机械 研磨 | ||
1.一种化学机械研磨垫,其特征在于,所述化学机械研磨垫至少包括:
具有一个旋转中心的研磨垫本体,其由底层和表层两层构成;
设于所述表层内的、用于分布抛光液的若干沟槽,所述沟槽的截面为若干以研磨垫本体的旋转中心为圆心的同心圆环,所述沟槽的横截面为设有倒角的U型沟槽。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述设于研磨垫中间区域的沟槽的宽度d1小于研磨垫边缘区域的沟槽的宽度d2。
3.根据权利要求2所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述宽度d1为5~15密耳,所述d2为15~50密耳;所述倒角的斜长L为1~3密耳。
4.根据权利要求1所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述沟槽的深度h为5~10密耳。
5.根据权利要求1所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述设于研磨垫中间区域的沟槽之间的间距d3大于设于研磨垫边缘区域的沟槽之间的间距d4。
6.根据权利要求5所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述设于研磨垫中间区域的沟槽之间的间距d3为80~120密耳;所述设于研磨垫边缘区域的沟槽之间的间距d4为60~80密耳。
7.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述分布于研磨垫中间区域的沟槽为20~25条;所述分布于研磨垫边缘区域的沟槽为3~5条。
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