[实用新型]一种高透光率单晶硅太阳能电池板有效
| 申请号: | 201320713967.5 | 申请日: | 2013-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN203631571U | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
| 发明(设计)人: | 梁坚;许国其;庄伟伟 | 申请(专利权)人: | 江苏天宇光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049 |
| 代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 沈志海 |
| 地址: | 212362 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 透光率 单晶硅 太阳能 电池板 | ||
技术领域
本实用新型涉及单晶太阳能电池板制造技术领域,特别是涉及 一种高透光率单晶硅太阳能电池板。
背景技术
现有的单晶硅太阳能电池板,使用钢化玻璃压在发电主体即单晶硅电池一侧保护,采用铝合金压板背板在单晶硅电池另一侧保护发电主体,然后采用TPT、TPE等材质压在铝合金板一侧对其进行密封、绝缘、防水。
采取上述单晶硅太阳能电池的保护结构和方式组装好的单晶硅太阳能电池板,其透光率只能达到93%至94%,单晶硅太阳能电池板的光电转换效率只能达到约18%,为了提高单晶硅太阳能电池板的光电转换效率,并能保证其在在使用时不受外界环境影响,本单位研发出了一种高透光率单晶硅太阳能电池板。
实用新型内容
为了克服上述现有技术的不足,本实用新型提供了 一种高透光率单晶硅太阳能电池板,其目的在于在能保证单晶太阳能电池板的发电主体单晶硅电池不受环境影响的情况下,提高其光电转换效率。
本实用新型所采用的技术方案是:一种高透光率单晶硅太阳能电池板,电池板包括有单晶硅电池、背板,背板连接在单晶硅电池底面,电池板还包括有超白钢化玻璃、铝材边框,超白钢化玻璃连接在单晶硅电池上面的,铝材边框套在太阳能电池板四周,本实用新型采用超白钢化玻璃和背板分别连接在单晶硅太阳能电池板的发电主体单晶硅电池的两侧对其进行保护,超白钢化玻璃连接在单晶硅太阳能电池板的上面,可以经受冰雹等强外力的侵袭而不损坏单晶硅电池,背板能密封、绝缘、防水单晶硅电池,此外本实用新型还采用铝材边框对单晶硅电池进行进一步保护和密封,本实用新型取消了铝材压板,所述单晶硅太阳能电池板的涂胶层数减少了一层,透光率也得到了提高。
本实用新型的进一步改进在于:背板为PET或TPT材料,PET或者TPT材料在高温和水蒸气的条件下不耐水、酸、及碱的作用,PET耐候性优良,可长期用于户外。
本实用新型的进一步改进在于:背板后还连接有接线盒,接线盒内设置有二极管,可以防止蓄电池反向对电池板充电,从而烧坏太阳能电池板,接线盒下方连接有两个接线头,接线头连接接线盒与太阳能发电系统的控制器。
本实用新型的进一步改进在于:超白钢化玻璃和背板通过胶膜分别粘接在单晶硅电池的上面和底面,对单晶硅电池进行保护。
本实用新型的进一步改进在于:接线盒通过硅膜粘接在背板上,方便使用。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:采用超白钢化玻璃代替钢化玻璃连接在单晶电池上面,使得单晶太阳能电池板可以经受冰雹等强外力的侵袭;取消背板与单晶硅电池之间的铝材压板,减轻了单晶硅太阳能电池板重量,节约了能源,降低了成本,并将单晶硅太阳能电池的透光率提高至97%,光电转换效率提高至22%。
本实用新型不但有效的保护了单晶硅太阳能电池板的发电主体单晶硅电池,而且减轻了单晶硅太阳能电池板重量,节约了能源,降低了成本,并将单晶硅太阳能电池的透光率提高至97%,光电转换效率提高至22%。
附图说明
图1为一种高透光率单晶硅太阳能电池板的各层连接示意图;
图2为一种高透光率单晶硅太阳能电池板的俯视图;
图3 为一种高透光率单晶硅太阳能电池板的仰视图;
图4为一种高透光率单晶硅太阳能电池板改进前的各层连接示意图。
具体实施方式
为了加深对本实用新型的理解,下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明,该实施例仅用于解释本实用新型,并不对本实用新型的保护范围构成限定。
如图1和图2所示,一种高透光率单晶硅太阳能电池板,电池板包括有单晶硅电池2、背板3,背板3连接在单晶硅电池2底面,电池板还包括有超白钢化玻璃1、铝材边框5,超白钢化玻璃1连接在单晶硅电池2上面的,铝材边框5套在太阳能电池板四周,本实用新型采用超白钢化玻璃1和背板3分别连接在单晶硅太阳能电池板的发电主体单晶硅电池2的两侧对其进行保护,超白钢化玻璃连接在单晶硅太阳能电池板的上面,可以经受冰雹等强外力的侵袭而不损坏单晶硅电池2,背板3能密封、绝缘、防水单晶硅电池2,此外本实用新型还采用铝材边框5对单晶硅电池2进行进一步保护和密封,本实用新型取消了铝材压板,所述单晶硅太阳能电池板的涂胶层数减少了一层,透光率也得到了提高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





