[实用新型]晶片研磨盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶片研磨加工领域，尤其涉及一种用于对超薄光学晶片进行研磨加工的研磨盘。

背景技术

石英晶片是制造频率发生和控制用的电子元器件，石英晶片的厚度同频率成反比，石英晶体经过切割后的晶片，要根据晶片的设计要求，一道一道淹没至固定厚度，再经过腐蚀达到固定频率才能使用。因此，研磨是晶片加工中的关键过程。

在对晶片进行研磨抛光处理时，通常需要用到研磨机。研磨盘是研磨机中最主要的工作部件，研磨晶片时，将复数晶片上蜡并黏置于研磨盘上，再以该研磨盘设置于相对应的研磨机中进行晶片研磨的减薄作业。各镜片于研磨完毕后即可将研磨盘由机器中取出。

目前光学晶片在研磨加工的时候，行业内所采用的研磨盘都是由铸铁或碳钢制成的，其重量较重，所以在加工的过程中，容易造成光学晶片的挤压，产生刮痕，降低光学晶片的合格率。若不经过研磨加工这个工序，光学晶片将不能达到超薄的要求，因此，有必要对现有的研磨盘结构进行改良。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提出一种晶片研磨盘，其可以减少晶片磨损，提高光学晶片的合格率。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种晶片研磨盘，其包括：一研磨盘盘体，该研磨盘盘体包括一呈圆环形设置的盘本体、设于盘本体一侧表面且向外凸出设置的凸台，以及设于盘本体另一侧表面上的研磨层；所述盘本体中间位置处设有一贯穿设置的轴孔，该轴孔内设有花键；所述研磨层表面上设有数道导流槽，该导流槽包括沿圆环的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。

具体的，所述研磨盘盘体可以采用合成塑料制作而成。

本实用新型中，所述盘本体的厚度约为21mm-24mm，凸台的厚度约为7mm-9mm，研磨层的厚度约为7mm-9mm。

选择性的，所述盘本体的厚度可以为22mm，凸台的厚度可以为8mm，研磨层的厚度可以为8mm。

具体的，所述呈圆环形设置的盘本体的外圆直径约为205mm-260mm，其内圆直径约为60mm-90mm。

选择性的，所述盘本体的外圆直径可以为250mm，其内圆直径可以为80mm。

本实用新型中，所述数道环形槽呈同心圆设置，每道环形槽之间均等距离设置。

再者，所述数道径向槽之间呈等距离设置。

进一步地，所述环形槽和径向槽的深度约为1.5mm-1.9mm。

具体的，所述环形槽和径向槽的深度均可以为1.8mm。

本实用新型的晶片研磨盘，其采用塑料材料制作而成，不仅成本较为低廉，且降低了材料硬度和重量，在光学晶片加工过程中，不会产生刮痕，尤其适用于超薄光学晶片的研磨加工；同时，其导流槽按照游星轮运行方向，采用环形槽及径向槽的特殊设计，可以极大的减小光学晶片边缘与原来的井字型导流槽碰擦产生的晶片破碎，从而可以减少晶片磨损，提高光学晶片的合格率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的晶片研磨盘一种具体实施例的结构示意图；

图2为沿图1中A-A方向的剖面示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。