[实用新型]晶片研磨盘有效
| 申请号： | 201320688857.8 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN203665306U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 侯明永 | 申请（专利权）人： | 重庆晶宇光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/16 | 分类号： | B24B37/16 |
| 代理公司： | 云南派特律师事务所 53110 | 代理人： | 龚笋根 |
| 地址： | 402160 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 研磨 | ||
1.一种晶片研磨盘，其特征在于，包括一研磨盘盘体，该研磨盘盘体包括一呈圆环形设置的盘本体、设于盘本体一侧表面且向外凸出设置的凸台，以及设于盘本体另一侧表面上的研磨层；所述盘本体中间位置处设有一贯穿设置的轴孔，该轴孔内设有花键；所述研磨层表面上设有数道导流槽，该导流槽包括沿圆环的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。
2.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体采用合成塑料制作而成。
3.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述盘本体的厚度为21mm-24mm，凸台的厚度为7mm-9mm，研磨层的厚度为7mm-9mm。
4.如权利要求3所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述盘本体的厚度为22mm，凸台的厚度为8mm，研磨层的厚度为8mm。
5.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述呈圆环形设置的盘本体的外圆直径为205mm-260mm，其内圆直径为60mm-90mm。
6.如权利要求5所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述盘本体的外圆直径为250mm，其内圆直径为80mm。
7.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述数道环形槽呈同心圆设置，每道环形槽之间均等距离设置。
8.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述数道径向槽之间呈等距离设置。
9.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述环形槽和径向槽的深度为1.5mm-1.9mm。
10.如权利要求9所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述环形槽和径向槽的深度均为1.8mm。
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