[实用新型]低噪声自激推挽式变换器

说明书

技术领域

本实用新型涉及开关电源变换器技术领域，具体涉及一种低噪声自激推挽式变换器。

背景技术

现有的自激推挽式变换器的电路结构来自1955年美国罗耶（G.H.Royer）发明的自激振荡推挽晶体管单变压器直流变换器，这也是实现高频转换控制电路的开端，部分电路来自1957年美国查赛（Jen Sen，也译作“井森”）发明的自激式推挽双变压器电路，后被称为自振荡JenSen电路，这两种电路，后人统称为自激推挽式变换器。

现有的自激推挽式变换器在生活中得到了广泛应用，如Royer电路，该变换器元件少，电路简单，工作在开环状态，也正因为此，这种变换器在交流小信号模型分析中，小信号的输入阻抗是正阻，与其他开关电源连接使用时，如自激推挽式变换器作为其它闭环的开关电源的后级或前级，具有极佳的级间连接特性。

但是，需要注意的是，自激推挽式变换器工作在高频状态，变压器线圈及输出侧的整流二极管处于开关状态，其电流电压瞬态急剧变化，产生高频分量的脉冲波，同时由于变压器漏感、引线电感、分布电容、滤波电感、滤波电容以及二极管的存储效应与反向恢复过程，产生浪涌电流尖峰与高频振荡，造成输出电压有很大的噪声，同时容易造成开关管的击穿与损坏。

实用新型内容

本实用新型提供一种低噪声自激推挽式变换器，能够解决上述问题。

本实用新型实施例提供的一种低噪声自激推挽式变换器，包括：变压器T1、辅助线圈T2、NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2、磁珠、整流二极管D1及整流二极管D2，变压器T1的原边线圈具有一用于连接电压输入端Vin的第一抽头，变压器T1原边线圈一端连接NPN型三极管Q1的集电极，变压器T1原边线圈的另一端连接NPN型三极管Q2的集电极，辅助线圈T2具有一第二抽头，电压输入端Vin经过由电阻R3和电容C3构成的并联支路连接至该第二抽头，辅助线圈T2的一端连接NPN型三极管Q2的基极，辅助线圈T2的另一端连接NPN型三极管Q1的基极，NPN型三极管Q1和NPN型三极管Q2的发射极通过磁珠接地；变压器T1的副边线圈具有一用于连接至电源地的第三抽头，变压器T1的副边线圈两端分别通过整流二极管D1和整流二极管D2向电压输出端Vout供电，电压输出端Vout与电源地之间并联一储能滤波电容C2。

优选地，NPN型三极管Q1和NPN型三极管Q2的发射极分别通过第一磁珠FB1和第二磁珠FB2接地。

优选地，电压输入端Vin经过一滤波电容C1接地。

优选地，储能滤波电容C2上并联一稳压管。

优选地，所述第一磁珠FB1和第二磁珠FB2的导磁率分别为15000μ～20000μ。

上述技术方案可以看出，由于本实用新型实施例采用高频损耗非常大的磁珠，具有很高的导磁率，可以使线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最小，减小开关管的电压应力，减小开关损耗，降低输出噪声，提高变换器的工作效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本实用新型实施例变换器的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例：