[实用新型]低噪声自激推挽式变换器

权利要求书

1.低噪声自激推挽式变换器，其特征在于，包括：变压器T1、辅助线圈T2、NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2、磁珠、整流二极管D1及整流二极管D2，变压器T1的原边线圈具有一用于连接电压输入端Vin的第一抽头，变压器T1原边线圈一端连接NPN型三极管Q1的集电极，变压器T1原边线圈的另一端连接NPN型三极管Q2的集电极，辅助线圈T2具有一第二抽头，电压输入端Vin经过由电阻R3和电容C3构成的并联支路连接至该第二抽头，辅助线圈T2的一端连接NPN型三极管Q2的基极，辅助线圈T2的另一端连接NPN型三极管Q1的基极，NPN型三极管Q1和NPN型三极管Q2的发射极通过磁珠接地；变压器T1的副边线圈具有一用于连接至电源地的第三抽头，变压器T1的副边线圈两端分别通过整流二极管D1和整流二极管D2向电压输出端Vout供电，电压输出端Vout与电源地之间并联一储能滤波电容C2。

2.如权利要求1所述的低噪声自激推挽式变换器，其特征在于，NPN型三极管Q1和NPN型三极管Q2的发射极分别通过第一磁珠FB1和第二磁珠FB2接地。

3.如权利要求1或2所述的低噪声自激推挽式变换器，其特征在于，电压输入端Vin经过一滤波电容C1接地。

4.如权利要求1或2所述的低噪声自激推挽式变换器，其特征在于，储能滤波电容C2上并联一稳压管。

5.如权利要求2所述的低噪声自激推挽式变换器，其特征在于，所述第一磁珠FB1和第二磁珠FB2的导磁率分别为15000μ～20000μ。