[实用新型]一种氮化硅陶瓷球的生产装置有效

专利信息
申请号: 201320683139.1 申请日: 2013-10-30
公开(公告)号: CN203558978U 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 刘宗才;田世昌;刘荣安 申请(专利权)人: 郑州骏科纳鑫特种陶瓷制品有限公司
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/584
代理公司: 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 代理人: 白洁
地址: 451263 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化 陶瓷球 生产 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型属于陶瓷球制备技术领域,特别涉及一种氮化硅陶瓷球的生产装置。

背景技术

氮化硅,化学式为Si3N4,是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体;高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击,在空气中加热到1000℃以上,急剧冷却再急剧加热,也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性,常常用来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。氮化硅陶瓷球是在非氧化气氛中高温烧结的精密陶瓷,具有高强度,高耐磨性,耐高温,耐腐蚀,耐酸、碱、可在海水中长期使用,并具有绝电绝磁的良好性能。其密度小,几乎是轴承钢的1/3重量,旋转时离心力小,可以实现高速运转。其还具有自润滑性,可以使用到无润滑介质高污染的环境中,成为陶瓷轴承、混合陶瓷球轴承的首选球珠。目前氮化硅陶瓷球的生产设备大部分为间歇生产设备,主要由配料桶、干燥设备、成型设备、烧结设备组成,且目前设备制得的氮化硅陶瓷球强度和抗冲击性能有待提高。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种氮化硅陶瓷球的生产装置,制得的氮化硅陶瓷球强度和抗冲击性能优异。

本实用新型采用的技术方案如下:

一种氮化硅陶瓷球的生产装置,包括配料装置、干燥装置、成型设备以及烧结设备,所述装置还包括定型设备;所述配料装置的出料口与干燥装置的进料口连接,干燥装置的出料口与成型设备的进料口连接,成型设备的出料口与定型设备的进料口连接,定型设备的出料口与烧结设备的进料口连接。

优选的,所述定型设备与烧结设备之间连接有脱胶装置,所述定型设备的出料口与脱胶装置的进料口连接,所述脱胶装置的出料口与烧结设备的进料口连接。

进一步,所述烧结设备的出料口与抛光设备进料口连接。

所述配料装置为拌料罐,所述干燥装置为喷雾干燥机,所述成型设备为压球机,所述烧结设备为气压烧结炉。

所述定型设备为等静压设备,所述脱胶装置为真空脱胶炉。

本实用新型是以氮化硅粉为原料进行生产的氮化硅陶瓷球生产装置,其实现了连续生产,且采用本实用新型提供的设备,并配套相应的配料制浆、喷雾干燥、成型、定型(以及脱胶)、烧成、抛光工艺可以获得强度高、抗冲击性能优异的氮化硅陶瓷球。

本实用新型与现有技术相比,具有如下优点:

本实用新型设备可以实现连续生产,提高了工作效率;同时采用本实用新型氮化硅陶瓷球生产装置可以获得强度高、抗冲击性能优异的氮化硅陶瓷球。

具体实施方式

以下以具体实施例来说明本实用新型的技术方案,但本实用新型的保护范围不限于此:

实施例1

如图1所示,一种氮化硅陶瓷球的生产装置,包括配料装置1、干燥装置2、成型设备3以及烧结设备5,所述装置还包括定型设备4;所述配料装置1的出料口与干燥装置2的进料口连接,干燥装置2的出料口与成型设备3的进料口连接,成型设备3的出料口与定型设备4的进料口连接,定型设备4的出料口与烧结设备5的进料口连接,所述烧结设备5的出料口与抛光设备6进料口连接。

作为一种优选方式,所述定型设备4与烧结设备5之间还可以连接有脱胶装置,所述定型设备4的出料口与脱胶装置的进料口连接,所述脱胶装置的出料口与烧结设备5的进料口连接。

所述配料装置1为拌料罐,所述干燥装置2为喷雾干燥机,所述成型设备3为压球机,所述定型设备4为等静压设备,所述烧结设备5为气压烧结炉,所述脱胶装置为真空脱胶炉。

采用上述装置时,相应的生产工艺如下:

取粒径破碎至0.4μm左右的氮化硅粉(纯度为99.5%)1000重量份(下同)以及氧化钇1-10份、氧化铝1-10份、纳米氮化硅1-10份以及乙醇40-100份加入拌料罐1中,充分混合均匀并搅拌8-10小时后进入喷雾干燥机2干燥,干燥后的物料进入压球机3并成型为陶瓷球,之后进入等静压设备4于150-250MPa的压力下保压3-5min进行定型,然后进入真空脱胶炉进行脱胶,于温度为1100-1200℃进行8-12小时;之后入气压烧结炉5烧结,烧成温度不低于1700℃,时间为10-14小时。

根据上述设备和工艺获得的氮化硅陶瓷球抗压强度不低于3.2GPa,,抗弯强度不低于850MPa,韧性不低于7.0Nm/cm2,使用温度1000℃以上。

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