[实用新型]一种金属熔线锁存器结构有效
| 申请号： | 201320682702.3 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203563050U | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 田垚磊 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 熔线锁存器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属熔线锁存器结构，主要由三级受控反相器依次串联构成，其中，第一级反相器由P型晶体管P16、N型晶体管N0和熔线依次串联组成，第二级反相器由P型晶体管P1与N型晶体管N1串联组成；P型晶体管P16的源极与N型晶体管N0的漏极共接至结点A，P型晶体管P1的栅极与N型晶体管N1栅极也共接至结点A，P型晶体管P1的源极与N型晶体管N1的漏极共接至结点B；其特征在于：第三级反相器包括依次串联的上拉驱动电路、N型晶体管N45和N型晶体管N46，其中，上拉驱动电路采用P型晶体管组上接电源、下接结点A的结构，用以对A点电压产生上拉驱动，上拉驱动电路中的一个P型晶体管的栅极连接至可调偏置电压源，源极接至结点A。
2.根据权利要求1所述的金属熔线锁存器结构，其其特征在于：所述上拉驱动电路由P型晶体管P44、P型晶体管P45串联构成，其中，P型晶体管P44的栅极和N型晶体管N45的栅极共接至结点B，P型晶体管P45的栅极连接至可调偏置电压源，P型晶体管P45的源极与N型晶体管N45的漏极共接至结点C，结点C与结点A直连。
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