[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

随着液晶显示技术的不断发展，人们对液晶显示产品的分辨率的要求越来越高。对于传统的液晶显示技术如ADS（ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术）技术，ADS模式的透过率仅为TN（Twisted Nematic，扭曲向列型）78%左右，因此，提高ADS模式的透过率显得尤为重要。

现有技术中，如图1所示为现有的ADS模式液晶显示面板的阵列基板的结构示意图，其中，针对基板1包括：像素电极5、公共电极6和钝化层7。在基板1上将公共电极6和像素电极5设计成狭缝状，利用狭缝状的公共电极6与像素电极5间形成的电场，如图2所示，为现有的显示面板透过率以及液晶分子分布图，根据图2可以看出，液晶分子在像素电极和公共电极形成的电场的作用下进行旋转，实现显示功能透过率。

然而，由于现有技术中的阵列基板公共电极的电压相同，液晶面板透过率不高。

实用新型内容

（一）解决的技术问题

本实用新型解决的技术问题是：如何解决液晶分子的充分旋转的问题，以实现高透过率。

（二）技术方案

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括栅线和数据线，以及由所述栅线和所述数据线限定的多个像素单元，每个像素单元包括公共电极和像素电极，

所述公共电极和所述像素电极位于不同膜层通过绝缘层相绝缘，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极连接第一公共电极线，所述第二公共电极连接第二公共电极线，且所述第一公共电极和所述第二公共电极均为狭缝状电极，所述第一公共电极包括多个第一条形电极，所述第二公共电极包括多个第二条形电极，且所述第一条形电极和所述第二条形电极交替设置，用于分别与所述像素电极形成电场。

优选地，所述像素电极为狭缝状电极，所述像素电极包括多个第三条形电极，且像素电极的第三条形电极、第一公共电极的第一条形电极和第二公共电极的第二条形电极交替设置，相邻的第一公共电极的第一条形电极和第二公共电极的第二条形电极之间间隔所述像素电极的第三条形电极。

优选地，所述第一公共电极和所述第二公共电极位于同一膜层，所述第一公共电极和所述第二公共电极均位于所述像素电极的远离阵列基板的衬底基板一侧，或者所述第一公共电极和所述第二公共电极均位于所述像素电极的靠近阵列基板的衬底基板一侧。

优选地，所述第一公共电极和所述第二公共电极位于不同膜层，所述第一公共电极和所述第二公共电极均位于所述像素电极的远离阵列基板的衬底基板一侧，或者所述第一公共电极和所述第二公共电极均位于所述像素电极的靠近阵列基板的衬底基板一侧，或者所述第一公共电极位于所述像素电极的远离阵列基板的衬底基板一侧且所述第二公共电极位于所述像素电极的靠近阵列基板的衬底基板一侧。

优选地，相邻的所述第一公共电极的第一条形电极和所述第二公共电极的第二条形电极的在基板上的投影的之间距大于所述像素电极的第三条形电极的宽度。

优选地，所述第一公共电极的第一条形电极和所述像素电极的第三条形电极在平行于阵列基板方向上的距离为0～0.6μm，所述第二公共电极的第二条形电极和所述像素电极的第三条形电极在平行于阵列基板方向上的距离为0～0.6μm，所述第一条形电极、第二条形电极和第三条形电极的宽度为2～2.6μm。

优选地，所述像素电极为板状电极，所述第一公共电极和第二公共电极均位于像素电极远离阵列基板的衬底基板一侧的同一膜层或不同膜层。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。

（三）有益效果

本实用新型通过提供一种阵列基板及其显示装置，阵列基板上设置两个公共电极，即第一公共电极和第二公共电极，第一公共电极边缘、第二公共电极边缘以及第一公共电极和第二公共电极之间产生电场，第一公共电极和像素电极之间以及第二公共电极和像素电极产生多维电场，多重电场共同叠加，使电极间、电极正上方区域液晶分子更容易被驱动，从而提高了液晶工作效率并增大了透过率。

附图说明

图1是现有的液晶显示装置中阵列基板的结构示意图；

图2是现有技术中液晶显示装置的光透过率模拟示意图；

图3是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的结构平面示意图；

图4是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的截面示意图；