[实用新型]一种高精度带隙基准电压源有效
申请号: | 201320618820.8 | 申请日: | 2013-10-09 |
公开(公告)号: | CN203552114U | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 李正大 | 申请(专利权)人: | 长沙学院 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410022 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高精度 基准 电压 | ||
1.一种高精度带隙基准电压源,其特征在于它是由正温度系数产生电路1、正温度系数补偿电压产生电路2、基准电压输出电路3连接构成;由运算放大器OP、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第一NMOS管NM1、第一PNP三级管Q1、第二PNP三级管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、电源VCC、接地GND连接成正温度系数电流产生电路1;第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第三PNP三级管Q3、第三电阻R3连接成正温度系数补偿电流产生电路2;由第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第四个PNP三级管Q4、、第四电阻R4、基准电压输出端Vref连接成基准电压输出电路;上述三个电路之间的连接是:第一PMOS管PM1至第七PMOS管PM7的电源供接至电源VCC;第三PMOS管PM3至第七PMOS管PM7的栅极相共接;第一PNP三级管Q1至第四个PNP三级管Q4的基极、发射极相共接;正温度系数补偿电流产生电路中的第五PMOS管PM5的漏极与第二NMOS管NM2的栅极及第二电阻R2的共接点连接至基准电路输出电路3中的第四NMOS管NM4的栅极。
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