[实用新型]一种阵列基板、液晶面板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶面板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

液晶显示器按照显示模式可以分为：扭曲向列（Twisted Nematic，TN）型，平面转换（In Plane Switching，IPS）型和高级超维场开关（AdvancedSuper Dimension Switch，ADS）型。其中，ADS模式液晶显示器通过液晶显示器中同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与面状电极层间产生的电场形成多维电场，该电场为水平电场，该水平电场使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

ADS模式液晶显示器，像素电极和公共电极位于不同层，二者之间通过绝缘层相绝缘，像素电极和公共电极之间的形成的多维电场，电场线经过所述绝缘层，所述绝缘层对电场强度造成一定衰减，使得实际作用在液晶分子上的电场强度小于像素电极和公共电极之间施加的驱动电压对应的电场强度，液晶分子可能无法正常偏转或偏转效果不太理想，要想达到理想偏转状态的液晶分子，需要在像素电极和公共电极之间施加更大的驱动电压。因此，现有结构的液晶面板的功耗较高。

实用新型内容

本实用新型公开了一种阵列基板、液晶面板及显示装置，用以提供一种低功耗液晶面板。

本实用新型实施例提供的阵列基板包括：基板，位于所述基板上的亚像素，所述亚像素所在区域设置有第一电极和第二电极，还包括位于第一电极和第二电极之间的绝缘层；所述第一电极和第二电极其中之一为公共电极，另一为像素电极；

位于不同层的第一电极和第二电极包括正对交叠区域和非正对交叠区域；

其中，在所述绝缘层上至少与所述非正对交叠相对应区域设置有镂空区域。

较佳地，所述第二电极位于所述基板上，所述绝缘层位于所述第二电极上，所述第一电极位于所述绝缘层上；所述第一电极为狭缝状电极，所述第二电极为板状电极或狭缝状电极。

较佳地，所述第一电极为狭缝状电极，所述第二电极为板状电极，在所述绝缘层上与所述狭缝状第一电极的狭缝对应的区域设置镂空区域。

较佳地，所述镂空区域在基板的投影与所述狭缝状第一电极的狭缝在基板上的投影重叠。

较佳地，所述第一电极为狭缝状电极，所述第二电极为狭缝状电极，在所述绝缘层上与所述第一电极的狭缝和第二电极的狭缝对应的区域设置镂空区域。

较佳地，狭缝状第一电极和狭缝状第二电极错位重叠，至少一侧的狭缝状第一电极和狭缝状第二电极裸露在外。

较佳地，所述阵列基板还包括栅线和数据线，所述绝缘层还位于所述栅线和数据线之间且位于栅线和数据线正对交叠对应的区域，栅线与第一电极和第二电极之间的区域不设置绝缘层；和/或

数据线与第一电极和第二电极之间的区域不设置绝缘层。

较佳地，还包括位于所述亚像素区域与所述像素电极相连的薄膜晶体管，所述绝缘层为单层绝缘层，所述绝缘层与所述薄膜晶体管的钝化层或栅极绝缘层位于同一层。

较佳地，还包括位于所述亚像素区域与所述像素电极相连的薄膜晶体管，所述绝缘层为双层绝缘层，所述双层绝缘层的其中之一与所述薄膜晶体管的钝化层位于同一层，所述双层绝缘层中的另一与所述薄膜晶体管的栅极绝缘层位于同一层。

本实用新型实施例提供的一种液晶面板，包括上述阵列基板。

本实用新型实施例提供的一种显示装置，包括上述液晶面板。