[实用新型]离子注入机之蒸发器

说明书

技术领域

本实用新型涉及离子注入机技术领域，尤其涉及一种离子注入机之蒸发器。

背景技术

本征硅的晶体结构由硅的共价键形成，本征硅的导电性很差，因此需要向其中掺入少量杂质，使其结构和导电率发生改变，硅基才能成为可用之半导体，这个过程被称之为掺杂。离子注入便是最重要的掺杂方式。

离子注入已成为集成电路或平板显示制造等领域标准化技术。离子注入机在电离的过程中，会使用包括AsH₃、BF₃、PH等在内的多种气体。例如，VARIAN离子注入机在使用时，可根据产品结构和工艺的要求使用InCl₃固体粉末，以达到产品预期工艺要求。

目前，传统的离子注入机之蒸发器（Vaporizer）包括腔室（Chamber）、热源（Lamp）、隔离板。其中，每个蒸发器进一步包括两个容量分别为5G，并用以容置离子源的腔室，且每个腔室容置的5G InCl₃可使用80小时。显然地，每个蒸发器的使用周期为160小时。当InCl₃使用完毕后，需要进行定期保养，更换蒸发器。

但是，现有离子注入机的定期保养循环时间为350～400小时，而以InCl₃使用完毕进行定期保养，势必缩短定期保养循环时间，减小设备在线生产时间，降低设备利用率。另一方面，InCl₃在升华和电离过程中会出现潮解现象，在大气环境下，所述升华后但未使用的InCl₃会粘附在所述腔室内壁，导致在设备保养完成后，准备下次生产前建立预期真空度需要相当长的时间。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本实用新型一种离子注入机之蒸发器。

实用新型内容

本实用新型是针对现有技术中，所述传统离子注入机定期保养循环时间短、设备利用率低，以及保养导致建立预期真空度耗时过长等缺陷提供一种离子注入机之蒸发器。

为实现本实用新型之目的，本实用新型提供一种离子注入机之蒸发器，所述离子注入机之蒸发器包括：承载体，所述承载体用于承载所述离子注入机之蒸发器的各功能部件；挡板，所述挡板设置在所述承载体上，且所述挡板围闭形成相互独立的多个子区间；腔室，所述腔室分别设置在通过所述挡板围闭的各独立子区间内；以及滑动密封装置，所述滑动密封装置设置在所述承载体之底部，并可用于进行上下垂直运动和圆周旋转运动。

可选地，所述离子注入机之蒸发器的底部滑动密封装置可进一步包括设置在所述滑动密封装置内的滑动密封部件。

可选地，所述挡板围闭形成的独立子区间的数量为4个。

可选地，所述离子注入机之蒸发器用于容置所述InCl₃的腔室数量为4个。

可选地，所述腔室的容量均为5G。

可选地，所述腔室的工作时间均为80小时。

可选地，所述离子注入机之蒸发器的工作时间为320小时。

综上所述，本实用新型所述离子注入机之蒸发器通过增加容置InCl₃的腔室，并在所述蒸发器之底部设置滑动密封装置，不仅可以延长设备定期保养周期、增加设备在线生产时间、提高设备利用率，而且可以避免InCl₃在不同设备上使用造成的不良影响。

附图说明

图1所示为本实用新型离子注入机之蒸发器的主视图。

具体实施方式

为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。

请参阅图1，图1所示为本实用新型离子注入机之蒸发器的主视图。所述离子注入机之蒸发器1包括承载体11，所述承载体11用于承载所述离子注入机之蒸发器1的各功能部件；挡板12，所述挡板12设置在所述承载体11上，且所述挡板12围闭形成相互独立的多个子区间121；腔室13，所述腔室13分别设置在通过所述挡板12围闭的各独立子区间121内；以及滑动密封装置14，所述滑动密封装置14设置在所述承载体11之底部，并可用于进行上下垂直运动和圆周旋转运动。

在本实用新型中，为了避免所述离子注入机之蒸发器1的滑动密封装置14在运动过程中，对真空度造成破坏，优选地，所述离子注入机之蒸发器的底部滑动密封装置14可进一步包括设置在所述滑动密封装置14内的滑动密封部件（未图示）。