[实用新型]反激过压保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路保护技术领域，特别是涉及一种反激过压保护电路。

背景技术

反激过压保护电路是指电路主开关管导通时，二次侧二极管关断，变压器储能；主开关管关断时，二次侧二极管导通，变压器储能向负载释放的电路。在过压保护电路中，通过芯片不同管脚实际电压与保护电压对比，判断是否执行过压保护。

目前，采用脉宽调制方式进行电源过压保护，脉宽调制芯片产生的PWM信号经输出端输出，驱动外接的MOS管工作。电路中后级电路的电压反馈到脉宽调制芯片的电压反馈端，再由脉宽调制芯片将反馈的电压信号与内部的基准电压进行比较，再将比较的PWM信号经输出端输出，即可控制MOS管的导通与断开。

传统的过压保护电路，是通过对反馈到芯片的电压的判断，确定芯片输出端是否驱动MOS管工作；如出现输入电压较大，输出给后级电路后再反馈给芯片，会造成后级电路的损伤。

发明内容

基于此，本实用新型在于克服现有技术的缺陷，提供一种主动式输出反激过压保护电路。

其技术方案如下：

一种反激过压保护电路，包括电源模块、变压模块、直流整流滤波模块、开关模块、控制模块和反馈模块，所述变压模块包括输入绕组和输出绕组，且所述输入绕组和输出绕组相互感应；所述输入绕组的同名端与所述电源模块的输出端连接、所述输入绕组的异名端与所述开关模块的输入端连接，所述控制模块的输入端与所述开关模块的输出端连接，所述控制模块的输出端与开关模块的控制端连接，且所述开关模块的输出端接地；所述输出绕组的异名端与所述直流整流滤波模块连接，所述输出绕组的同名端接地；所述反馈模块的输入端连接所述直流整流滤波模块，所述反馈模块的输出端与所述控制模块连接；所述控制模块包括脉宽调制芯片、采样电阻、定时电阻和定时电容，所述脉宽调制芯片的电压采样端和所述开关模块的输出端均连接所述采样电阻的一端，所述采样电阻的另一端接地；所述定时电阻和定时电容串联连接，所述脉宽调制芯片的定时端与所述定时电阻和定时电容的公共端连接，所述定时电阻的另一端与所述脉宽调制芯片的基准电压端连接，所述定时电容的另一端接地，所述脉宽调制芯片的接地端接地；所述脉宽调制芯片的输出端与所述开关模块的控制端连接，所述脉宽调制芯片的电源端与所述电源模块的输出端连接；所述变压模块还包括反馈绕组、第一电阻、第一二极管、第一电容和稳压管，所述反馈绕组感应所述输出绕组的电压，所述反馈绕组的异名端与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述第一电阻的一端连接，所述反馈绕组的同名端接地，所述第一电阻的另一端与所述稳压管的阴极和所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述反馈绕组的同名端连接，所述电源模块的输出端和所述脉宽调制芯片的电压采样端均与所述稳压管的阳极连接。

下面对进一步技术方案进行说明：

所述直流整流滤波模块包括第二二极管和第一滤波电容，所述第二二极管的正极与所述输出绕组的异名端连接，所述第二二极管的负极为所述直流整流滤波模块的输出端，所述第一滤波电容一端与所述第二二极管的负极连接，所述第一滤波电容另一端接地。

所述直流整流滤波模块还包括第二电阻、第二滤波电容、第一滤波电感、第三滤波电容和第三电阻；所述第二电阻的两端分别与所述第二二极管的正极和所述第二滤波电容的一端连接，所述第二滤波电容的另一端与所述第二二极管的负极连接；所述第一滤波电感的两端分别与所述第一滤波电容的正极和所述第三滤波电容的一端连接，所述第三滤波电容的另一端与所述第一滤波电容的负极连接；所述第三电阻与所述第三滤波电容并联。

所述开关模块包括N沟道MOSFET、偏置电阻和第一限流电阻，所述N沟道MOSFET的漏极为所述开关模块的输入端，所述N沟道MOSFET的源极为所述开关模块的输出端，所述N沟道MOSFET的栅极为所述开关模块的控制端，且所述N沟道MOSFET的栅极通过所述第一限流电阻与所述脉宽调制芯片的输出端连接，所述偏置电阻连接在所述N沟道MOSFET的栅极和源极之间。

所述开关模块还包括第四滤波电容，所述第四滤波电容的两端分别与所述N沟道MOSFET的漏极和源极连接。

所述控制模块包括滤波单元，所述滤波单元包括滤波电阻和第五滤波电容，所述滤波电阻的两端分别连接所述开关模块的输出端和所述脉宽调制芯片的电压采样端；所述第五滤波电容的一端连接所述脉宽调制芯片的电压采样端，另一端接地。