[实用新型]反激过压保护电路

权利要求书

1.一种反激过压保护电路，包括电源模块、变压模块、直流整流滤波模块、开关模块、控制模块和反馈模块，所述变压模块包括输入绕组和输出绕组，且所述输入绕组和输出绕组相互感应；所述输入绕组的同名端与所述电源模块的输出端连接、所述输入绕组的异名端与所述开关模块的输入端连接，所述控制模块的输入端与所述开关模块的输出端连接，所述控制模块的输出端与开关模块的控制端连接，且所述开关模块的输出端接地；所述输出绕组的异名端与所述直流整流滤波模块连接，所述输出绕组的同名端接地；所述反馈模块的输入端连接所述直流整流滤波模块，所述反馈模块的输出端与所述控制模块连接；其特征在于，所述控制模块包括脉宽调制芯片、采样电阻、定时电阻和定时电容，所述脉宽调制芯片的电压采样端和所述开关模块的输出端均连接所述采样电阻的一端，所述采样电阻的另一端接地；所述定时电阻和定时电容串联连接，所述脉宽调制芯片的定时端与所述定时电阻和定时电容的公共端连接，所述定时电阻的另一端与所述脉宽调制芯片的基准电压端连接，所述定时电容的另一端接地，所述脉宽调制芯片的接地端接地；所述脉宽调制芯片的输出端与所述开关模块的控制端连接，所述脉宽调制芯片的电源端与所述电源模块的输出端连接；所述变压模块还包括反馈绕组、第一电阻、第一二极管、第一电容和稳压管，所述反馈绕组感应所述输出绕组的电压，所述反馈绕组的异名端与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述第一电阻的一端连接，所述反馈绕组的同名端接地，所述第一电阻的另一端与所述稳压管的阴极和所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述反馈绕组的同名端连接，所述电源模块的输出端和所述脉宽调制芯片的电压采样端均与所述稳压管的阳极连接。

2.根据权利要求1所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述直流整流滤波模块包括第二二极管和第一滤波电容，所述第二二极管的正极与所述输出绕组的异名端连接，所述第二二极管的负极为所述直流整流滤波模块的输出端，所述第一滤波电容一端与所述第二二极管的负极连接，所述第一滤波电容另一端接地。

3.根据权利要求2所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述直流整流滤波模块还包括第二电阻、第二滤波电容、第一滤波电感、第三滤波电容和第三电阻；所述第二电阻的两端分别与所述第二二极管的正极和所述第二滤波电容的一端连接，所述第二滤波电容的另一端与所述第二二极管的负极连接；所述第一滤波电感的两端分别与所述第一滤波电容的正极和所述第三滤波电容的一端连接，所述第三滤波电容的另一端与所述第一滤波电容的负极连接；所述第三电阻与所述第三滤波电容并联。

4.根据权利要求1所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述开关模块包括N沟道MOSFET、偏置电阻和第一限流电阻，所述N沟道MOSFET的漏极为所述开关模块的输入端，所述N沟道MOSFET的源极为所述开关模块的输出端，所述N沟道MOSFET的栅极为所述开关模块的控制端，且所述N沟道MOSFET的栅极通过所述第一限流电阻与所述脉宽调制芯片的输出端连接，所述偏置电阻连接在所述N沟道MOSFET的栅极和源极之间。

5.根据权利要求4所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述开关模块还包括第四滤波电容，所述第四滤波电容的两端分别与所述N沟道MOSFET的漏极和源极连接。

6.根据权利要求1所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述控制模块包括滤波单元，所述滤波单元包括滤波电阻和第五滤波电容，所述滤波电阻的两端分别连接所述开关模块的输出端和所述脉宽调制芯片的电压采样端；所述第五滤波电容的一端连接所述脉宽调制芯片的电压采样端，另一端接地。

7.根据权利要求1所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述反馈模块包括光耦、控制芯片、第二限流电阻、第一分压电阻和第二分压电阻；所述光耦包括发射器和接收器，所述发射器的输入端通过所述第二限流电阻与所述直流整流滤波模块的输出端连接，所述发射器的输出端与所述控制芯片的输入端连接，所述接收器的输入端与所述脉宽调制芯片的频率补偿端连接，所述接收器的输出端接地；所述第一分压电阻和第二分压电阻串联连接，所述控制芯片的控制端与所述第一分压电阻和第二分压电阻的公共端连接，所述第一分压电阻的另一端与所述直流整流滤波模块的输出端连接，所述第二分压电阻的另一端接地，所述控制芯片的输出端接地；所述控制芯片在直流输出电压高于其电压阈值时导通。