[实用新型]去胶机台

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体领域，涉及一种去胶机台。

背景技术

在光掩模板的制造过程中，需要使用光刻胶在光掩模板上形成集成电路和半导体器件的布局图案或者其它电路图案和数据图案，完成曝光、显影、刻蚀等加工工艺之后，需要去除光掩模板表面残留的光刻胶。SPM（Sulphoacid Peroxide Mixed,硫酸-过氧化氢混合液）是微电子行业普遍使用的清洗药液，其主要用途是用来清洗基板上的有机残留物。SPM清洗有机残留物的主要工作原理是利用SPM的强氧化性将有机物脱水并氧化成二氧化碳和水。传统的SPM生成系统是将硫酸和过氧化氢按一定比例置于一容器中混合，并对混合物加热至一定的温度，被清洗的对象浸没在此混合液中清洗，此种生成系统的SPM重复使用，需定期更换。由于过氧化氢在加热和酸性条件下容易分解，故此类SPM生成系统的活性具有不稳定性，而且由于SPM的重复使用，会造成清洗对象的交叉污染。另外一种工艺是通过旋转喷淋方法去除光掩模板上的光刻胶，该去胶方法相对于传统的深槽式浸泡方法能够有效节省耗酸量，由于药液活性强，去胶后药液直接排掉不再循环使用，不会造成交叉污染，去胶效果相对稳定。

现有的去胶机台采用旋转喷淋方式，SPM手臂在使用中悬停在光掩模板上方，将硫酸和双氧水的混合液喷射到光掩模板上，通过高温的化学混合液与光掩模板上的光刻胶进行反应，达到去胶目的。但是在实际的使用中，由于SPM手臂悬停一点，虽然光掩模板下方的卡盘带动光掩模板旋转可以将混合液甩开形成覆盖整个光掩模板的液膜，但是混合液的温度和分布的量的均匀性都达不到所需的工艺要求，即光掩模板边缘处的反应温度和混合液的堆积膜厚得不到保证，从而发生光刻胶残留，造成该工序的成品问题，给后续工艺带来问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种去胶机台，用于解决现有技术中去胶过程中由于SPM混合液的温度和分布的量的均匀性达不到要求导致发生光刻胶残留的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种去胶机台，所述去胶机台包括一由腔底和环绕所述腔底一周的腔壁组成的收容空腔；所述腔底上设置有一用于承载光掩模板并带动所述光掩模板旋转的卡盘；所述腔壁上设置有一SPM喷淋系统；所述SPM喷淋系统至少包括气缸控制模块、与所述气缸控制模块连接的气缸、与所述气缸连接的安装支座、及安装于所述安装支座上与所述气缸连接并随着所述气缸的往复运动来回转动的摇杆；所述摇杆底端弯折连接有一随着所述摇杆的来回转动来回摆动的输液臂；所述摇杆侧壁设置有一与所述输液臂连通的液体接头；所述气缸的进气端设有用以控制所述气缸运动速度的节流阀；所述气缸控制模块包括气缸摆动控制电磁阀及脉冲继电器；所述脉冲继电器包括输入回路和输出回路；所述气缸摆动控制电磁阀连接于所述输出回路中；所述输入回路控制所述输出回路的通断从而控制所述气缸摆动控制电磁阀的通断电状态进而控制所述气缸的往复运动。

可选地，所述摇杆依次通过摇臂、曲柄机构及气缸连接组件与所述气缸连接。

可选地，所述输液臂的摆动角度范围是0～90°。

可选地，所述液体接头与一SPM混合组件连接。

可选地，所述输液臂为直线状或弯折状。

可选地，所述脉冲继电器采用电磁继电器。

可选地，所述脉冲继电器为动合型、动断型或转换型。

如上所述，本实用新型的去胶机台，具有以下有益效果：去胶机台工作时，输液臂端部从光掩模板中心位置至光掩模板边缘来回摆动，是光掩模板的中心至边缘在整个工艺过程中都可以得到足够的反应温度和反应浓度，提升整体去胶能力，提升工艺成品率，并相应缩短工艺时间，提高产量。通过调节气缸上的节流阀，可以获得所需的气缸运动速度，从而得到需要的输液臂的摆出和摆回速度；通过设定脉冲继电器的频率，可以获得气缸的摆动周期，从而获得需要的输液臂的摆动角度来满足不同尺寸光掩模板所需要的工艺设定。

附图说明

图1显示为本实用新型的去胶机台的结构示意图。

图2显示为本实用新型的去胶机台中气缸控制模块的电路示意图。

图3显示为本实用新型的去胶机台中SPM喷淋系统的俯视结构示意图。

元件标号说明

1    腔底

2    腔壁

3    卡盘

4    SPM喷淋系统

5    气缸

6    安装支座

7    摇杆

8    输液臂