[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。

LCD根据电场形式的不同可分为多种类型，其中，高级超维场转换（Advanced Super Dimension Switch，简称ADS）模式的TFT-LCD具有宽视角、高开口率、高透过率等优点而被广泛的应用。ADS模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转。ADS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。

实用新型人在实现本实用新型的过程中发现，随着人们对TFT-LCD的分辨率的要求越来越高，ADS型TFT-LCD内的像素电极的尺寸往往越来越小，导致ADS型TFT-LCD对液晶的驱动能力也变弱，同时增加了ADS型TFT-LCD出现闪烁现象的可能性，降低了用户的使用体验度。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及显示装置，能够在保证高分辨率的前提下，提高显示装置对液晶的驱动能力。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括衬底基板，还包括：

位于所述衬底基板上方的第一公共电极、第二公共电极和像素电极，所述像素电极与所述第一公共电极、所述第二公共电极绝缘，所述第一公共电极和所述第二公共电极的电位相等。

所述像素电极位于所述第一公共电极和所述第二公共电极之间，所述第一公共电极和所述像素电极之间形成有第一绝缘层，所述像素电极和所述第二公共电极之间形成有第二绝缘层。

所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上形成有过孔，所述第一过孔位于所述阵列基板的数据线的上方，所述第二公共电极通过所述过孔与所述第一公共电极电连接。

所述第一公共电极为狭缝电极或平板电极，所述第二公共电极为狭缝电极。

所述阵列基板自下而上位于所述衬底基板和所述第一公共电极之间的栅极绝缘层、数据线、第三绝缘层。

在本实施例的技术方案中，提供了一种阵列基板，其中，位于所述衬底基板上的像素电极、第一公共电极和第二公共电极，所述像素电极与所述第一公共电极、所述第二公共电极绝缘，所述第一公共电极和所述第二公共电极的电位相等，分别与像素电极存储电容，增大了阵列基板提供稳定有效的电场的能力，保证在缩小像素电极尺寸以提高分辨率的同时，减小了闪烁现象出现的可能性，提高了用户的使用体验。

本实用新型的第二方面提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例中的阵列基板的制备方法的流程图一；

图2为本实用新型实施例中的阵列基板的结构示意图一；

图3为本实用新型实施例中的阵列基板的结构示意图二；

图4为本实用新型实施例中的阵列基板的结构示意图三；

图5为本实用新型实施例中的阵列基板的结构示意图四；

图6为本实用新型实施例中的图5的沿A-A的截面图一；

图7为本实用新型实施例中的阵列基板的制备方法的流程图二；

图8为本实用新型实施例中的图5的沿A-A的截面图二；

图9为本实用新型实施例中的其他实施方式的截面图一；

图10为本实用新型实施例中的其他实施方式的截面图二；

图11为本实用新型实施例中的其他实施方式的截面图三；

图12为本实用新型实施例中的其他实施方式的截面图四。

附图标记说明：

1—衬底基板；          2—像素电极；      3—第一公共电极；

4—第二公共电极；      5—第一绝缘层；    6—第二绝缘层；